Вк ву: Концевой выключатель вп,вк,ву купить в Красноярске | Товары для дома и дачи

с ПОНЕДЕЛЬНИКА по ПЯТНИЦУ заказы принимаются:

Заказы на все мясокомбинаты в воскресенье: с 10-00 до 12-00 (не позже)

на понедельник заказ в пятницу до 16,00 вес заказа от 50кг.

СЫРЫ , МАЙОНЕЗ, МАСЛО СЛИВОЧНОЕ, МАСЛО ПОДСОЛНЕЧНОЕ С 9 ДО 15

Минимальный заказ по Москве от 6 -7 тысяч, подмосковье от 8 тысяч.

   Задайте свой вопрос

Kaempferia galanga ( K. galanga ) (семейство: Zingiberaceae) используется в народной медицине для лечения воспалений, болей в груди, холеры и т. Д. головная боль, зубная боль, гипертония и боль в животе.Предыдущие исследования этого растения показали, что метанольный экстракт корневища проявляет анальгетическую активность. Таким образом, в настоящем исследовании изучали антиноцицептивную активность различных экстрактов корневища и листьев K. galanga . Антиноцицептивную активность оценивали с помощью тестов на корч, индуцированные уксусной кислотой, горячую пластину и погружение хвоста на мышах Swiss albino в дозах 100 и 200 мг / кг массы тела перорально. Ацетоновый экстракт корневища (ACR), а также фракцию петроэфира (PEF), фракцию хлороформа (CHF), фракцию метанола (MEF) и ацетоновый экстракт листьев (ACL) исследовали на антиноцицептивную активность.В этом исследовании все экстракты проявляли значимое (p <0,05 и p <0,001) антиноцицептивное действие в зависимости от дозы. В методе корчей, индуцированных уксусной кислотой, хлороформ и метанольный экстракт корневища (200 мг / кг) показали ингибирование корчей на 81,22% и 70,12% соответственно, тогда как стандартные препараты диклофенак-натрия (25 мг / кг) и аспирин (100 мг / кг) показали ингибирование 80,72% и 61,94%. В тестах с погружением в горячую пластину и хвоста петроэфирный экстракт корневища и ацетоновый экстракт листьев (200 мг / кг) дали максимум 69.Подавление ноцицепции теплового стимула на 41% и 81,69% соответственно. В этом исследовании в качестве стандарта использовался морфин (5 мг / кг). Настоящее исследование показало, что ацетоновые экстракты и фракции корневища и листьев K. galanga обладают антиноцицептивными свойствами, которые поддерживают его использование в традиционной медицине и позволяют предположить, что это растение может быть дополнительно исследовано для обнаружения его фармакологически активных натуральных продуктов.

Ключевые слова

Настраиваемая затвором углеродная нанотрубка – гетеропереход MoS2 pn-диод

Значение

Диод pn-перехода является наиболее распространенным и фундаментальным строительным блоком современной электроники с далеко идущими приложениями, включая интегральные схемы, детекторы, фотоэлектрическую энергию и т. Д. лазеры.С недавним открытием и исследованием атомарно тонких материалов появились возможности для добавления новых функций к диоду с p-n переходом. Здесь мы демонстрируем, что диод с p-n гетеропереходом на основе атомарно тонкого MoS ₂ и отсортированных полупроводниковых углеродных нанотрубок обеспечивает беспрецедентную настраиваемость затвора как по своим электрическим, так и по оптическим свойствам, что не наблюдается в случае объемных полупроводниковых устройств. Помимо использования передовых электронных и оптоэлектронных технологий, этот диод с p-n гетеропереходом позволяет по-новому взглянуть на перенос и разделение заряда на атомно-тонких гетерограницах.

Abstract

Диод с p-n-переходом и полевой транзистор являются двумя наиболее распространенными строительными блоками современной электроники и оптоэлектроники. В последние годы появление материалов с уменьшенной размерностью позволило предположить, что эти компоненты могут быть уменьшены до атомной толщины. Хотя высокоэффективные полевые устройства были получены из однослойных материалов и их гетероструктур, диод с p-n гетеропереходом, полученный из ультратонких материалов, заметно отсутствует и ограничивает производство сложных электронных и оптоэлектронных схем.Здесь мы демонстрируем регулируемый затвором диод с p-n гетеропереходом, использующий полупроводниковые однослойные углеродные нанотрубки (ОСУНТ) и однослойный дисульфид молибдена в качестве полупроводников p-типа и n-типа соответственно. Вертикальное наложение этих двух полупроводников с прямой запрещенной зоной образует гетеропереход с электрическими характеристиками, которые можно настраивать с помощью приложенного смещения затвора для достижения широкого диапазона характеристик переноса заряда, от изолирующего до выпрямительного с отношениями прямого и обратного тока смещения, превышающими 10 ⁴ .Этот диод с гетеропереходом также сильно реагирует на оптическое облучение с внешней квантовой эффективностью 25% и быстрым фотооткликом <15 мкс. Поскольку ОСУНТ обладают разнообразным диапазоном электрических свойств в зависимости от хиральности и все больше выделяется атомарно тонких 2D наноматериалов, представленная здесь концепция pn-гетероперехода с перестраиваемым затвором должна быть широко распространена для реализации разнообразной ультратонкой высокопроизводительной электроники и электроники. оптоэлектроника.

Когда два полупроводника с противоположным типом носителей контактируют друг с другом, перенос заряда происходит через их интерфейс и создает разность потенциалов, определяемую профилем легирования.В объемных полупроводниковых p-n-переходах уровень легирования в основном регулируется посредством диффузии или имплантации примесей замещения, что подразумевает минимальный контроль над профилем легирования после изготовления устройства. Напротив, атомарно тонкие полупроводники можно электростатически легировать, подавая смещение на электрод затвора с емкостной связью (1⇓ – 3). Атомарно тонкая структура этих материалов также позволяет модуляцию легирования вышележащих слоев в вертикально уложенной гетероструктуре (4).Например, эта стратегия позволяет использовать бесщелевой графен в устройствах для полевого туннелирования в сочетании с другими слоистыми материалами (4, 5). Вертикальные 2D-гетероструктуры также использовались для создания высокоэффективных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (6), туннельных полевых транзисторов (FET) (4), барристоров (7), инверторов (8) и запоминающих устройств. (9, 10), в дополнение к облегчению изучения новых физических явлений в слоистых материалах (11–14). Аналогичным образом, плоские гетероструктуры графена и контролируемое легирование послужили основой для уникальных 2D-устройств (15–18).Хотя почти идеальная 2D-структура и низкая плотность состояний в графене обеспечивают преимущества в некоторых устройствах с гетероструктурой, его бесщелевой характер предотвращает образование большого потенциального барьера для разделения зарядов и выпрямления тока, несмотря на усилия по созданию плоских pn-гомопереходов с помощью раздельного стробирования ( 19). В частности, отсутствие отдельных однослойных полупроводников с комплементарными (p и n) полярностями не позволило реализовать p-n-диод с настраиваемым затвором на гетеропереходе.

В этом отчете мы демонстрируем изготовление и работу перестраиваемого затвором диода на pn гетеропереходе с использованием полупроводниковых однослойных углеродных нанотрубок (s-SWCNT) (p-типа) (20) и однослойного (SL) -MoS ₂ (n-тип) (21, 22).Рис. 1 A показывает сканирующий электронный микроскоп, окрашенный в ложный цвет, типичного устройства. На оптическом микрофотографии с меньшим увеличением того же устройства на рис.1 B показан полевой транзистор n-типа (SL-MoS ₂ ), гетеропереход pn s-SWCNT / SL-MoS ₂ и p-тип ( s-SWCNT) FET сверху вниз. Изготовление устройства начинается с нанесения литографически определенных золотых электродов электронным пучком на хлопья SL-MoS ₂ , которые расслаиваются на 300-нм пластинах SiO ₂ / Si (Рис. 1 C, I ).SL-MoS ₂ FET электрически изолирован путем формирования рисунка из оксида алюминия толщиной 30 нм посредством осаждения атомных слоев (ALD) с последующим переносом и формированием рисунка отсортированной тонкой пленки s-SWCNT (23, 24) (рис. 1 C, II ), чтобы получить конечное устройство (рис. 1 C, III ). SI Text предоставляет дополнительную информацию о изготовлении устройства.

Микроскопия и изготовление s-ОСУНТ / SL-MoS ₂ p-n-гетеропереход. ( A ) РЭМ-изображение гетероперехода, окрашенное в ложные цвета.(Шкала 2,5 мкм.) Желтые области вверху и внизу — это золотые электроды. Оксид алюминия с рисунком (синяя область) служит маской для изоляции части чешуи SL-MoS ₂ (фиолетовая область). Розовая область представляет собой узорчатую случайную сеть s-ОСНТ (p-типа), находящихся в прямом контакте с открытой частью чешуйки SL-MoS ₂ (n-тип), чтобы сформировать p-n гетеропереходный диод (темно-красный). ( B ) Оптическая микрофотография, показывающая компоновку устройства при меньшем увеличении.Желтая пунктирная граница указывает на чешуйку SL-MoS ₂ , тогда как пунктирный белый прямоугольник обозначает пленку s-SWCNT с рисунком. Электроды 1 и 2 образуют полевой транзистор n-типа (SL-MoS ₂ ), который изолирован узорчатой ​​пленкой оксида алюминия (голубой). Электроды 2–3 образуют p-n-гетеропереход, тогда как 3–4 и 4–5 образуют полевые транзисторы s-SWCNT p-типа. (Масштаб, 10 мкм.) ( C ) Схема процесса изготовления: ( I ) SL-MoS ₂ Полевой транзистор и дополнительная пара электродов изготовлены с помощью электронно-лучевой литографии на 300 нм SiO ₂ / Si.Подложка Si действует как глобальный задний затвор. ( II ) Полевой транзистор MoS ₂ изолирован путем формирования рисунка на пленке оксида алюминия в процессе отрыва с последующим переносом ( III ) и формированием рисунка сети s-SWCNT для получения окончательной конфигурации устройства, состоящей из верхнего контакта SL-MoS ₂ FET, нижний контакт s-SWCNT FET и pn гетеропереход.

Ультратонкий гетеропереход позволяет настраивать электрические характеристики диода на затворе.Рис. 2 A показывает графики выходных сигналов типичного устройства при различных смещениях затвора. Устройство переходит от почти изолирующего поведения при В _G = 70 В в состояние с плохим выпрямлением ( r ² <60% для соответствия уравнению диода Шокли) при В _G = 40 В на диод с высоким выпрямлением для В _G ≤ 0 В ( r ² > 99%).Для диодов с гетеропереходом В _D относится к смещению на электроде s-SWCNT, так что В _D > 0 соответствует прямому смещению, когда электрод находится в контакте с SL-MoS ₂ заземлен. График передачи дополнительно демонстрирует возможность настройки затвора тока через гетеропереход p-n (рис. 2 B ). Передаточные характеристики перехода (зеленый) показывают необычную зависимость напряжения затвора, которую мы называем «антиамбиполярным» поведением.В частности, максимальная проводимость наблюдается около В _G = 0, что противоположно обычному амбиполярному поведению, которое показывает минимальную проводимость около В _G = 0. Отношение тока включения / выключения. превышает 10 ⁴ на графиках передачи, что подходит для сложных логических приложений ( SI Text ). Передаточные характеристики гетероперехода можно качественно рассматривать как суперпозицию графиков передачи s-SWCNT p-типа (красный) и SL-MoS ₂ (синий) n-типа.Однако чистый ток через гетеропереход меньше, чем характеристики передачи SL-MoS ₂ и s-SWCNT FET из-за дополнительного сопротивления на переходе.

Электрические свойства s-SWCNT / SL-MoS ₂ p-n-гетеропереход. ( A ) Выходные характеристики с настраиваемым затвором, показывающие переход от почти изолирующего состояния при В _G = 70 В к проводящему состоянию с относительно плохим выпрямлением при В _G = 40 В к сильно выпрямляющему поведение диода при отрицательном напряжении затвора.( B ) Передаточные характеристики p-n-перехода (зеленый), демонстрирующие антиамбиполярную характеристику, которая качественно представляет собой суперпозицию передаточных характеристик полевого транзистора s-SWCNT p-типа и полевого транзистора SL-MoS ₂ n-типа. ( C ) Отношение прямого тока к обратному (при величине смещения гетероперехода 10 В) как функция смещения затвора. Надписи вверху показывают соответствующие диаграммы полос для p-n-гетероперехода s-SWCNT / SL-MoS ₂ . При высоком положительном смещении затвора образование перехода n ⁺ -n подразумевает низкий коэффициент выпрямления, который переходит в переход n ⁺ -i (область плато на графике) с уменьшением В _G .Затем коэффициент выпрямления увеличивается с уменьшением смещения затвора из-за образования p-n перехода. ( D ) Демонстрация выпрямления с перестраиваемым затвором с использованием диода на гетеропереходе p-n. Ось y слева показывает входное напряжение, тогда как ось y справа показывает выходное напряжение на последовательном резисторе (1 МОм). В зависимости от смещения затвора устройство переходит из состояния непрямого резистора при В _G = 10 В (пурпурный) в состояние диодного выпрямления при В _G = -10 В ( синий).

Эта уникальная передаточная характеристика может рассматриваться как исходящая от канала полевого транзистора, состоящего из двух последовательно соединенных полупроводников p и n. Изменение сопротивления каждого компонента со смещением затвора влияет на результирующее последовательное сопротивление, приводя к результирующей антиамбиполярной переходной характеристике перехода. Таким образом, кривая перехода перехода имеет два состояния выключения, представляющих истощенное состояние SL-MoS ₂ и s-SWCNT. Кроме того, контактные сопротивления пленки s-SWCNT и SL-MoS ₂ с Au относительно малы по сравнению с сопротивлениями листа / канала (25, 26) и, таким образом, оказывают незначительное влияние на характеристики перехода (см. SI Text для выходных участков s-SWCNT и SL-MoS ₂ полевых транзисторов).Стоит отметить, что максимум переходной кривой перехода не совпадает в точности с пересечением переходных кривых SL-MoS ₂ и s-SWCNT. Это смещение может быть связано с гистерезисом на диаграммах перехода и тем фактом, что полевой транзистор SL-MoS ₂ заключен в оксид алюминия, который, как известно, смещает пороговое напряжение в полевых транзисторах SL-MoS ₂ (21).

Важным параметром, характеризующим характеристики диода, является отношение прямого тока I _f к обратному току I _r ❘ при той же величине смещения.На рис. 2 C показано, что ❘ I _f ❘ / ❘ I _r ❘ изменяется более чем на пять порядков в зависимости от напряжения затвора. Между двумя крайними значениями смещения затвора гетеропереход s-SWCNT / SL-MoS ₂ переходит от перехода nn ⁺ при В _G = 80 В к переходу pn при В _G = −80 В. Большая ширина запрещенной зоны SL-MoS ₂ (> 1.8 эВ) (27) по сравнению с s-ОСНТ (∼0,7 эВ) допускает электростатическое истощение SL-MoS ₂ до слегка n-легированного (n ^— ) или почти собственного изолирующего состояния, тем самым приводя к ❘ I _f ❘ / ❘ I _r значения, превышающие 10 ⁴ при В _G = −80 В. s-ОСУНТ допускают электростатическую инверсию от p-легирования к n-легированию при больших положительных напряжениях В _G , что приводит к плохому ❘ I _f ❘ / ❘ I _r ❘ значения для В _G > 60 В.Перестраиваемые затворные диоды с гомопереходом p-n были ранее изготовлены путем раздельного стробирования отдельных ОСУНТ. Однако такие гомопереходы позволяют управлять встроенным напряжением только с помощью дифференциальных смещений в разделенных вентилях (28, 29). С другой стороны, нынешний перестраиваемый pn-гетеропереход затвора принципиально отличается, поскольку он имеет встроенный потенциал при нулевом смещении затвора, что видно из характеристик выпрямительного тока (I) -напряжения (В) ( IV ) (рис. 2 А ). Кроме того, в этом гетеропереходе затвор используется для одновременной настройки концентраций легирования обоих полупроводников, что позволяет настраивать встроенные коэффициенты напряжения и выпрямления.

Чтобы лучше понять зависящую от затвора модуляцию кривых гетероперехода I-V , мы подогнали их к уравнению диода Шокли. Наилучшее соответствие уравнению диода Шокли наблюдается для В _G = -40 В. Для других значений В _G либо коэффициент идеальности диода ( n )> 2, либо посадки плохие ( r ² <60%) ( SI Text ). Беспорядок на границе раздела пленок SWCNT со случайной сеткой [см. Изображения атомно-силовой микроскопии (AFM) в SI Text ] и SL-MoS ₂ , возможно, приводит к большей рекомбинации, что приводит к большим факторам идеальности по сравнению с почти идеальным поведением диода. в гетеропереходах WSe ₂ / InAs, имеющих однородный 2D интерфейс (30).Зависимость от затвора текущего поведения диода позволяет создавать схемы выпрямителя с перестраиваемым затвором (рис. 2 D ), что является уникальной особенностью гетероперехода s-SWCNT / SL-MoS ₂ , которая не наблюдалась в обычных объемных схемах. полупроводниковые диоды (более подробную информацию о методах измерения см. в SI Text ).

И SL-MoS ₂ , и s-ОСНТ имеют прямую запрещенную зону (31, 32) и обнаруживают признаки связанных экситонных состояний в своих спектрах поглощения (2, 31).Поэтому ожидается генерация фототока при оптическом облучении p-n-гетеропереходов на основе этих материалов. С этой целью сканирующая микроскопия фототока была использована для пространственного картирования локального фотоотклика устройства с гетеропереходом s-SWCNT / SL-MoS ₂ (рис. 3 A ). Области большого отрицательного фототока лежат в области гетероперехода, очерченной чешуей SL-MoS ₂ (фиолетовый), перекрывающейся с узорчатой ​​пленкой s-SWCNT (красный). Из неперекрывающихся областей пленки s-SWCNT, SL-MoS ₂ или электрических контактов (см. SI Text для получения дополнительной информации) не наблюдается измеримого фототока, что указывает на то, что фототок, измеренный при равномерном освещении, генерируется вертикальный гетеропереход.Фототок от контактов Au к пленкам s-ОСУНТ в нашей недавней работе не наблюдался (33). В случае двухполюсников SL-MoS ₂ на контактах наблюдался фототок из-за изгиба ленты (34). Однако изгиб полосы на контактах противоположен изгибу зоны перехода, что подавляет локальный приконтактный фототок, поскольку нейтральность заряда не может поддерживаться на используемом уровне инжекции. Спектральная зависимость фототока (рис.3 B ) соответствует пикам поглощения SL-MoS ₂ (27) и S ₂₂ (24) пиков s-ОСУНТ, что демонстрирует, что эта уникальная гетерограница может вызвать разделение носителей после генерации экситонов и / или свободных носителей в любом материале.Фототок, генерируемый в видимой части спектра, также, вероятно, имеет вклад как от SL-MoS ₂ , так и от S ₃₃ переходов s-ОСУНТ, потому что оба поглощают в этом диапазоне длин волн (см. SI Text для спектра поглощения. ОУНТ).

Фотоотклик p-n гетероперехода. ( A ) Сканирующая микрофотография фототока типичного устройства с гетеропереходом, полученная при В _D (электрод s-SWCNT), В _G = 0 В, показывающая очертания чешуйки SL-MoS ₂ ( фиолетовая пунктирная линия) и узорчатую пленку s-SWCNT (красная пунктирная линия), полученная на длине волны 700 нм с мощностью 20 мкВт.В области перекрывающегося перехода наблюдаются области большого отрицательного фототока (синий цвет). Оксид алюминия и электроды с рисунком обозначены голубыми и желтыми пунктирными линиями соответственно. ( B ) Спектр фототока перехода в условиях глобального освещения и нулевого смещения. Величина фототока максимальна при характерных энергиях поглощения как SL-MoS ₂ , так и s-ОСУНТ. Спектр фототока получается при той же падающей мощности (30 мкВт). ( C ) Кривая выходного сигнала того же устройства в темноте и при общем освещении на длине волны 650 нм.( D ) Спектральный отклик фототока можно настроить с помощью напряжения затвора. С уменьшением напряжения затвора увеличенное p-легирование нанотрубок и сопутствующее уменьшенное n-легирование MoS ₂ приводит к более низкому фототоку в ближней инфракрасной области.

Чтобы дополнительно проиллюстрировать фотоотклик гетероперехода s-SWCNT / SL-MoS ₂ , выходные ( IV ) и передаточные кривые ( IV _g ) были получены при общем освещении в серии длины волн.Репрезентативное сравнение темных и освещенных кривых IV при В _G = -40 В показывает, что фототок увеличивается на четыре порядка величины при обратном смещении гетероперехода -5 В (рис. 3 C ). На рис. 3 D также показаны значения фототока, зависящие от напряжения затвора при обратном смещении гетероперехода -10 В (рис. 3 D ). По мере того, как напряжение затвора становится более отрицательным, относительный вклад части спектра s-SWCNT уменьшается, что согласуется с тем, что гетеропереход s-SWCNT / SL-MoS ₂ становится переходом p ⁺ -n ^—.Поскольку обедненная область в pn-переходе простирается дальше в сторону с более низкой концентрацией легирования / основных носителей, переход почти полностью лежит в SL-MoS ₂ , поскольку он обеднен при отрицательном напряжении В _G , ведущий к уменьшенному вкладу фототока от s-ОСНТ, как показано на рис. 3 D . Если мы рассмотрим соединение с молекулярной точки зрения, используемой для описания органических полупроводниковых гетеропереходов, можно также ожидать изменения скорости переноса заряда из-за изменений смещения зон [или высших занятых молекулярных орбиталей (HOMO) и низших незанятых молекулярных орбиталей (LUMO). ) уровни] через гетеропереход.

Обладая сильным фотоответом, гетеропереход s-SWCNT / SL-MoS ₂ может использоваться в качестве фотоприемника. Фотоприемники на основе диодов известны своим быстрым фотооткликом по сравнению с фототранзисторами, потому что фотовозбужденные носители должны пройти только расстояние, равное ширине истощения перехода. Действительно, мы наблюдаем быстрый фотоотклик (<15 мкс) от гетероперехода s-SWCNT / SL-MoS ₂ , как показано на рис. 4 A и B .Важно отметить, что это время фотоотклика на порядки меньше, чем у недавно опубликованных фототранзисторов с гетеропереходом на основе графена (35). Кроме того, указанное здесь время фотоотклика гетероперехода s-SWCNT / SL-MoS ₂ ограничено временем нарастания предусилителя, использованного в этих экспериментах, и, таким образом, 15 мкс представляет собой верхний предел.

Фотодетектирование с помощью диода на p-n гетеропереходе. ( A и B ) Зависящий от времени фотоотклик p-n гетероперехода, показывающий быстрое время нарастания и затухания ~ 15 мкс.( C ) EQE как функция обратного смещения для гетероперехода на длине волны 650 нм. EQE увеличивается линейно с обратным смещением от 0 до -5 В, причем самый высокий EQE в 25% возникает при -10 В. ( D ) Спектрально-зависимая чувствительность ( R ) фотодиода в линейном (синий) и логарифмическом (красный цвет) ) Весы. Для длин волн поглощения SL-MoS ₂ наблюдается большая чувствительность по сравнению с s-ОСУНТ, поскольку диод работает при В _G = -40 В (режим истощения SL-MoS ₂ ).

Внешняя квантовая эффективность (EQE) фотодетектора s-SWCNT / SL-MoS ₂ с гетеропереходом также заслуживает внимания (∼25% при В _D = −10 В) и выгодно отличается от других недавно сообщили о гетероструктурах из 2D наноматериалов (рис. 4 C ) (35–37). EQE вычисляется как, где I _ph , e , P и hν представляют фототок, электронный заряд, падающую оптическую мощность и энергию фотонов, соответственно.Линейный рост EQE при малых обратных смещениях (рис. 4 C ) аналогичен поведению фотодиодов на основе квантовых точек (38), что связано с изменениями в области обеднения. Здесь, учитывая незначительную толщину SL-MoS ₂ по сравнению с ожидаемой шириной обеднения (39), мы объясняем увеличение EQE увеличением скорости переноса заряда через границу гетероперехода из-за изменения ориентации полосы, а не к увеличению ширины истощения.Спектральная чувствительность ( R ) фотоприемника на гетеропереходе представлена ​​на рис. 4 D . Максимальный R превышает 0,1 А / Вт на длине волны 650 нм, что сопоставимо с другими описанными в литературе фотодетекторами на основе наноструктурированных диодов (40). Сочетание высокого значения R и малого времени фотоотклика дает явные преимущества перед доступными в настоящее время органическими фотодиодами и фотодиодами с квантовыми точками (38).

В заключение, мы продемонстрировали перестраиваемый затвором диод на гетеропереходе p-n путем интеграции s-SWCNTs p-типа и SL-MoS n-типа ₂ .Ультратонкий характер составляющих материалов подразумевает, что оба компонента могут модулироваться емкостным смещением затвора, тем самым обеспечивая широкую возможность настройки переноса заряда из почти изолирующего состояния в состояние с высокой степенью выпрямления с отношениями прямого и обратного тока смещения, превышающими 10 ^{. 4} . При работе в качестве трехполюсного устройства диод с гетеропереходом p-n также демонстрирует антиамбиполярное поведение с коэффициентами включения / выключения тока более 10 ⁴ , что указывает на его полезность в приложениях с продвинутой логикой.Кроме того, поскольку s-ОСНТ и SL-MoS ₂ являются полупроводниками с прямой запрещенной зоной, диод с p-n гетеропереходом служит эффективным фотодетектором с быстрым фотоответом <15 мкс. Комбинируя другие s-ОСНТ с разрешенной хиральностью (41) с постоянно растущим списком двумерных полупроводниковых наноматериалов (42–45), диод с p-n гетеропереходом может быть распространен на широкий спектр электронных и оптоэлектронных приложений.

Благодарности

Мы признательны за обсуждения с Дж. М.П. Алабосон и благодарят Б. Майерса и И. С. Кима за помощь в электронно-лучевой литографии и рамановской спектроскопии соответственно. Эта работа была поддержана Научно-техническим центром материаловедения (MRSEC) Северо-Западного университета [грант DMR-1121262 Национального научного фонда (NSF)] и Программой исследовательских инициатив многопрофильных университетов Управления военно-морских исследований (N00014-11-1-0690) . M.L.G. также признает стипендию для аспирантов NSF. В этом исследовании использовался Экспериментальный центр определения атомных и наномасштабных характеристик Северо-Западного университета при Северо-Западном университете, который поддерживается Научно-техническим центром NSF-Nanoscale, NSF-MRSEC, Фондом Кека и штатом Иллинойс.В этом исследовании также использовались чистые помещения для производства микро / нанотехнологий Северо-Западного университета в Северо-Западном университете.

Сноски

• Вклад авторов: D.J., V.K.S., T.J.M., L.J.L. и M.C.H. спланированное исследование; D.J., V.K.S., C.-C.W., P.L.P. и M.L.G. проведенное исследование; D.J., V.K.S., C.-C.W., L.J.L. и M.C.H. проанализированные данные; и D.J., V.K.S., C.-C.W., P.L.P., M.L.G., T.J.M., L.J.L. и M.C.H. написал газету.

• Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов.

• Эта статья содержит вспомогательную информацию на сайте www.pnas.org/lookup/suppl/doi:10.1073/pnas.1317226110/-/DCSupplemental.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:

• В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
• Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
• Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
• Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
• Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Ральф Беллами — Голоса к миру: из официальных архивов Организации Объединенных Наций (1960, Gatefold, Vinyl)

Vk | Китайская песня

Китайское название песни: Shou Liu Ni De Gu Dan 收留 你 的 孤单
Английский перевод: Shelter Your Loneliness
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Zheng Guo Feng 郑国锋
Китайский текст: Zhang Peng Peng 张鹏鹏

Китайское название песни: Sui Bian Ni 随便 你
Английское название перевода: Whatever You
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: A Jian 阿健
Китайский текст: A Jian 阿健

Китайское название песни: Yi Sheng Yi Yu 一生 一 遇
Английский перевод: Meet You Once In My Life
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Yi Xi He 依 溪 禾
Китайский текст: Meng Xun 朦 珣

Название песни на китайском языке: Qin Shi 琴师
Название на английском языке: Скрипач
Исполнитель на китайском языке: Vk
Композитор на китайском языке: Неизвестен
Текст на китайском языке: Неизвестен

Китайское название песни: Dan Lian Lun Xian 单恋 沦陷
Английское название перевода: The Fall Of Unrequited Love
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Jiang Chao 江潮
Китайский текст: A Han 阿 涵 Vk

Китайское название песни: Shan He Zhao Mu 山河 朝暮
Английское название перевода: Sunvo Morning Evening
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Zhi Su Xi 执 素 兮
Китайский текст: Wu Bi 无比

Китайское название песни: He Ceng Ju 何曾 惧
Английский перевод: Ever Afraid
Китайский певец: Vk Wu Yin 五音 Jw Aki A Jie Aki 阿杰
Китайский композитор: Yi Xin Yin Yue 异 新 音乐
Китайский текст: Ran Yu You 冉语 优

Китайское название песни: Tie Ma Bing He Ru Meng Lai 铁马 冰河 入梦 来
Английское название в переводе: The Iron Horse Glacier Comes To Sleep
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Ли Чонг 李 冲
Китайский текст: Lu You 陆游

Китайское название песни: Fu Sheng Jian Yu 浮生 见 雨
Английское название перевода: You Can’t See The Rain
Китайский певец: Vk
Китайский композитор: Инь Линь 银 临
Китайский текст: Mu Qing Ming 慕清明

Китайское название песни: Wei Ni Zhi Guang 唯 你 之 光
Английский перевод: The Light Of You
Китайский певец: Vk Xi Yin She 汐 音 社
Китайский композитор: Bo Lu 柏 鹿
Китайский текст: Zhou Zhou 洲 洲 Shi Er Xiong十二 兄

Пониженная летучесть аэрозолей от приземных выбросов в верхнюю часть пограничного слоя планеты

Aiken, A.К., ДеКарло, П. Ф., Кролл, Дж. Х., Уорсноп, Д. Р., Хаффман, Дж. А., Дочерти, К. С., Ульбрих, И. М., Мор, К., Киммел, Дж. Р., Суэпер, Д., Сан, Y., Zhang, Q., Trimborn, A., Northway, M., Ziemann, P.J., Canagaratna, M. Р., Онаш, Т. Б., Альфарра, М. Р., Превот, А. С. Х., Доммен, Дж., Дюплисси, Дж., Мецгер, А., Балтенспергер, У., Хименес, Дж. Л .: Отношения O / C и OM / OC первичных, вторичных и атмосферных органических аэрозолей с высоким разрешением Времяпролетная масс-спектрометрия аэрозолей, Environ. Sci. Technol., 42, 4478–4485, https://doi.org/10.1021/es703009q, 2008.

Канагаратна, М. Р., Хименес, Дж. Л., Кролл, Дж. Х., Чен, К., Кесслер, С. С., Массоли, П., Хильдебрандт Руис, Л. ., Fortner, E., Williams, LR, Wilson, KR, Surratt, JD, Donahue, NM, Jayne, JT, and Worsnop, DR: Измерения элементного отношения органических соединений с помощью аэрозольной масс-спектрометрии: характеристика, улучшенная калибровка и последствия , Атмос. Chem. Phys., 15, 253–272, https://doi.org/10.5194/acp-15-253-2015, 2015.

Cao, L.-M., Huang, X.-F., Li, Y.-Y., Hu, M., and He, L.-Y .: Измерение летучести атмосферных субмикронных аэрозолей в городской атмосфере. на юге Китая — Атмос. Chem. Phys., 18, 1729–1743, https://doi.org/10.5194/acp-18-1729-2018, 2018.

Каппа, К. Д. и Хименес, Дж. Л .: Количественные оценки волатильности атмосферного органического аэрозоля, Атмос. Chem. Phys., 10, 5409–5424, https://doi.org/10.5194/acp-10-5409-2010, 2010.

Cruz, C. и Pandis, S .: Deliquecence and Hygroscopic Grow of Mixed Неорганико-органический атмосферный аэрозоль, Environ.Sci. Технол., 34, 4313–4319, https://doi.org/10.1021/es99, 2000.

Кубисон, MJ, Ортега, AM, Hayes, PL, Farmer, DK, Day, D., Lechner, MJ, Brune, WH, Apel , Э., Дискин, Г.С., Фишер, Дж. А., Топилберг, Х. Э., Гекобиан, А., Кнапп, Д. Д., Миковины, Т., Ример, Д., Сакс, Г. У., Сешнс, В., Вебер, Р. Дж., Вайнхаймер, AJ, Wisthaler, A. и Jimenez, JL: Влияние старения на органический аэрозоль от открытого дыма от сжигания биомассы в самолетах и ​​лабораторные исследования, Atmos.Chem. Phys., 11, 12049–12064, https://doi.org/10.5194/acp-11-12049-2011, 2011.

Д’Андреа, С.Д., Хаккинен, С.А.К., Вестервельт, Д.М., Куанг, К., Levin, EJT, Kanawade, VP, Leaitch, WR, Spracklen, DV, Riipinen, I., and Pierce, JR: Понимание глобального количества вторичного органического аэрозоля и конденсационного поведения с определенным размером, Atmos. Chem. Phys., 13, 11519–11534, https://doi.org/10.5194/acp-13-11519-2013, 2013.

Донахью, Н., Робинсон, А., Станье, К., и Пандис, С.: В сочетании разделение, разбавление и химическое старение полулетучих органических веществ, Environ. Sci. Technol., 40, 2635–2643, 2006.

Гаррат, Дж. Р .: Обзор: атмосферный пограничный слой, Науки о Земле. Rev., 37, 89–134, 1994.

Грожан, Д., Грожан, Э., Уильямс, Э.Л .: Химия атмосферы ненасыщенные спирты, Environ. Sci. Technol., 27, 2478–2485, https://doi.org/10.1021/es00048a026, 1993.

Гуо, С., Ху, М., Замора, М.Л., Пэн, Дж., Шан, Д., Чжэн, Дж., Ду, З., Ву, З., Шао М., Цзэн Л., Молина М. Дж. И Чжан Р. образование городской дымки в Китае, P. Natl. Акад. Sci. США, 111, 17373–17378, https://doi.org/10.1073/pnas.1419604111, 2014.

Хуанг, Р.-Дж., Чжан, Ю., Бозцетти, К., Хо, К.-Ф., Цао, Дж.-Дж. ., Хан, Ю., Даелленбах, К. Р., Словик, Дж. Г., Платт, С. М., Канонако, Ф., Зоттер, П., Вольф, Р., Пибер, С. М., Брунс, Э. А., Криппа, М., Чиарелли, Г., Piazzalunga, A., Schwikowski, M., Abbaszade, G., Schnelle-Kreis, J., Циммерманн, Р., An, Z., Szidat, S., Baltensperger, U., Haddad, I.E., и Превот, А.С.Х .: Высокий вклад вторичных аэрозолей в твердые частицы загрязнение во время событий дымки в Китае, Nature, 514, 218–222, https://doi.org/10.1038/nature13774, 2014.

Хименес, Дж. Л., Канагаратна, М. Р., Донахью, Н. М., Превот, А. С. Х., Чжан, К., Кролл, Дж. Х., ДеКарло, П. Ф., Аллан, Дж. Д., Коу, Х., Нг, Н. Л., Эйкен, А. К., Дочерти, К. С., Ульбрих, И. М., Гришоп, А. П., Робинсон, А. Л., Дюплисси, Дж., Смит, Дж. Д., Уилсон, К.Р., Ланц, В. А., Хьюглин, К., Сан, Ю. Л., Тиан, Дж., Лааксонен, А., Раатикайнен, Т., Раутиайнен, Дж., Вааттоваара, П., Эн, М., Кульмала, М., Томлинсон, Дж. М., Коллинз, Д. Р., Кубисон, М. Дж., Э., Данли, Дж., Хаффман, Дж. А., Онаш, Т. Б., Альфарра, М. Р., Уильямс, П. И., Бауэр, К., Кондо, Ю., Шнайдер, Дж., Древник, Ф., Боррманн, С., Веймер, С., Демерджян, К., Сальседо, Д., Коттрелл, Л., Гриффин, Р., Таками, А., Миёси, Т., Хатакеяма, С., Шимоно, А., Сун, Дж. Й., Чжан, Ю. М., Дзепина, К., Киммел, Дж.Р., Супер, Д., Джейн, Дж. Т., Херндон, С. К., Тримборн, А. М., Уильямс, Л. Р., Вуд, Э. К., Миддлбрук, А. М., Колб, К. Э., Baltensperger, U., Worsnop, D.R .: Эволюция органических аэрозолей в Atmosphere, Science, 326, 1525–1529, https://doi.org/10.1126/science.1180353, 2009.

Джонс, А., Томсон, Д., Хорт, М., Девениш, Б.: Метеорологическое бюро Великобритании. Модель атмосферной дисперсии нового поколения, НАЗВАНИЕ III, Загрязнение воздуха Моделирование и его применение XVII, Бостон, Массачусетс, 580–589, 2007.

Куп, Т., Букхолд, Дж., Шираива, М., и Пешл, У.: Стеклование. и фазовое состояние органических соединений: зависимость от молекулярных свойств и последствия для вторичных органических аэрозолей в атмосфере, Phys. Chem. Chem. Phys., 13, 19238–19255, https://doi.org/10.1039/C1CP22617G, 2011.

Куанг, К., Макмерри, П. Х., Маккормик, А. В. Определение облачности. образование ядер конденсации из измеренных событий образования новых частиц, Geophys. Res. Lett., 36, https: // doi.org / 10.1029 / 2009GL03758, 2009.

Кульмала, М., Контканен, Дж., Юннинен, Х., Лехтипало, К., Маннинен, Х. Э., Ниеминен, Т., Петая, Т., Сипиля, М., Шобесбергер, С., и Рантала, П .: Прямые наблюдения за зарождением атмосферных аэрозолей, Наука, 339, 943–946, 2013.

Li, H., Cheng, J., Zhang, Q., Zheng, B., Zhang, Y., Zheng, G., and He, K.: Быстрый переход зимой состав аэрозоля в Пекине с 2014 по 2017 год: реакция на действия чистого воздуха, Атмос. Chem. Phys., 19, 11485–11499, https: // doi.org / 10.5194 / acp-19-11485-2019, 2019.

Li, J., Fu, Q., Huo, J., Wang, D., Yang, W., Bian, Q., Duan, Y. , Чжан, Ю., Пан, Дж., Линь, Ю., Хуанг, К., Бай, З., Ван, С.-Х., Фу, Дж. С., и Луи, П. К. К .: Профили из черного угля на основе привязных баллонов в нижнем тропосфера Шанхая в смоге Восточного Китая 2013 г., Атмосфера. Окружающая среда, 123, 327–338, https://doi.org/10.1016/j.atmosenv.2015.08.096, 2015.

Ли, С., Лю, Д., Ху, Д., Конг, С., Ву, Ю. , Дин, С., Ченг, Ю., Цю, Х., Чжэн, С., Ян, К., Чжэн, Х., Ху, К., Чжан, Дж., Чжао, Д., Лю, К., Шэн, Дж., Йе, Дж., Хе, Х. и Дин, Д.: Эволюция органического аэрозоля из дерева Дым под влиянием фазы горения и солнечного излучения, 126, e2021JD034534, https://doi.org/10.1029/2021JD034534, 2021.

Li, Z., Guo, J., Ding, A., Liao, H., Liu, J., Sun, Y., Wang, T. , Сюэ, Х., Чжан, Х., Чжу, Б .: Взаимодействие аэрозолей и пограничного слоя и удар по качеству воздуха, Нац. Sci. Ред., 4, 810–833, https://doi.org/10.1093/nsr/nwx117, 2017.

Лю Д., Ху, К., Чжао, Д., Дин, С., Ву, Ю., Чжоу, К., Ю, К., Тянь, П., Лю, К., Би, К., Ву, Ю., Ху, Б., Цзи, Д., Конг, С., Оуян, Б., Хе, Х., Хуанг М. и Дин Д.: Эффективный вертикальный перенос черного углерода в Планетарный пограничный слой, Geophys. Res. Lett., 47, e2020GL088858, https://doi.org/10.1029/2020gl088858, 2020a.

Лю, К., Лю, Д., Гао, К., Тиан, П., Ван, Ф., Чжао, Д., Би, К., Ву, Ю., Дин, С., Ху, К. ., Чжан Дж., Дин Д. и Чжао К. Вертикальные характеристики гигроскопичности аэрозоля и влияние на оптические свойства над Северо-Китайской равниной зимой, Атмосфер.Chem. Phys., 20, 3931–3944, https://doi.org/10.5194/acp-20-3931-2020, 2020b.

Мэй, А.А., Ли, Т., МакМикинг, Г.Р., Акаги, С., Салливан, А.П., Урбански, С., Йокельсон, Р.Дж., и Крейденвейс, С.М.: Наблюдения и анализ выделения органических аэрозолей в некоторых предписанных пожарных дымах. шлейфы, Атмос. Chem. Phys., 15, 6323–6335, https://doi.org/10.5194/acp-15-6323-2015, 2015.

Ng, NL, Canagaratna, MR, Zhang, Q., Jimenez, JL, Tian, Дж., Ульбрих, И.М., Кролл, Дж. Х., Дочерти, К.С., Чабра, П.С., Бахрейни, Р., Мерфи, С.М., Сайнфельд, Дж. Х., Хильдебранд, Л., Донахью, Н.М., ДеКарло, П.Ф., Ланц, В.А., Прево, АШ, Динар, Э., Рудич, Ю. , и Уорсноп, Д.Р .: Компоненты органических аэрозолей, наблюдаемые в наборах данных для Северного полушария, полученных с помощью масс-спектрометрии аэрозолей, Atmos. Chem. Phys., 10, 4625–4641, https://doi.org/10.5194/acp-10-4625-2010, 2010.

Ng, NL, Canagaratna, MR, Jimenez, JL, Chhabra, PS, Seinfeld, JH , и Worsnop, DR: Изменения в составе органического аэрозоля при старении, выведенные из масс-спектров аэрозолей, Atmos.Chem. Phys., 11, 6465–6474, https://doi.org/10.5194/acp-11-6465-2011, 2011.

Панков, Дж. Ф .: Обзор и сравнительный анализ теорий разделение между фазами газовых и аэрозольных частиц в Атмосфера, Атмос. Environ., 21, 2275–2283, 1987.

Панков, Дж. Ф .: Абсорбционная модель разделения газа и частиц органических веществ. соединения в атмосфере, Атмос. Environ., 28, 185–188, 1994.

Paulson, S.E. и Orlando, J.J .: Реакции озона с алкенами: An важный источник HO _x в пограничном слое, Geophys.Res. Lett., 23, г. 3727–3730, https://doi.org/10.1029/96GL03477, 1996.

Ран, Л., Дэн, З., Сюй, X., Ян, П., Линь, В., Ван, Ю., Тиан П., Ван П., Пань В. и Лу Д.: Вертикальные профили черного углерода, измеренные с помощью микроэталометра летом на Северо-Китайской равнине, Atmos. Chem. Phys., 16, 10441–10454, https://doi.org/10.5194/acp-16-10441-2016, 2016.

Riipinen, I., Pierce, JR, Yli-Juuti, T., Nieminen, T. ., Хаккинен, С., Эн, М., Юннинен, Х., Лехтипало, К., Петая, Т., Slowik, J., Chang, R., Shantz, NC, Abbatt, J., Leaitch, WR, Kerminen, V.-M., Worsnop, DR, Pandis, SN, Donahue, NM, and Kulmala, M .: Органическая конденсация: жизненно важное звено, связывающее образование аэрозолей с концентрациями ядер конденсации облаков (CCN), Atmos. Chem. Phys., 11, 3865–3878, https://doi.org/10.5194/acp-11-3865-2011, 2011.

Riipinen, I., Yli-Juuti, T., Pierce, JR, Petäjä, T. ., Уорсноп Д. Р., Кульмала М. и Донахью Н. М .: Вклад органических веществ в рост наночастиц в атмосфере, Нат.Geosci., 5, 453–458, https://doi.org/10.1038/ngeo1499, 2012.

Робинсон, А., Донахью, Н., Шривастава, М., Вайткамп, Э., Сейдж, М., Гришоп А., Лейн Т., Пирс Дж. И Пандис С .: Переосмысление органического Аэрозоли: выбросы полулетучих веществ и фотохимическое старение, Science, 315, 1259–1262, https://doi.org/10.1126/science.1133061, 2007.

Сало, К., Вестерлунд, Дж., Андерссон, П. У., Нильсен, К., Д’Анна, Б. и Холлквист, М .: Термическая характеристика наночастиц нитрата аминия, J.Phys. Chem. A, 115, 11671–11677, https://doi.org/10.1021/jp204957k, 2011.

Schurman, MI, Lee, T., Sun, Y., Schichtel, BA, Kreidenweis, SM, and Collett Jr. , JL: Исследование типов и источников органических аэрозолей в национальном парке Роки-Маунтин с помощью масс-спектрометрии аэрозолей, Atmos. Chem. Phys., 15, 737–752, https://doi.org/10.5194/acp-15-737-2015, 2015.

Шривастава, М., Каппа, С.Д., Фан, Дж., Гольдштейн, А.Х., Гюнтер , AB, Хименес, Дж. Л., Куанг, К., Ласкин, А., Мартин, С. Т., Нг, Н. Л., Петая, Т., Пирс, Дж. Р., Раш, П. Дж., Ролдин, П., Сайнфелд, Дж. Х., Шиллинг, Дж., Смит, Дж. Н., Торнтон, Дж. А., Волкамер, Р., Ван, Дж., Уорсноп, Д. Р., Завери, Р. А., Зеленюк, А., Чжан, К .: Последние достижения в понимании вторичный органический аэрозоль: последствия для глобального воздействия на климат, Rev. Geophys., 55, 509–559, https://doi.org/10.1002/2016rg000540, 2017.

Шривастава, М. К., Липски, Э. М., Станье, К. О., Робинсон, А. Л .: Моделирование массовых выбросов полулетучих органических аэрозолей при горении Системы, окружающая среда.Sci. Technol., 40, 2671–2677, https://doi.org/10.1021/es0522231, 2006.

Sun, Y., Du, W., Fu, P., Wang, Q., Li, J., Ге, X., Чжан, К., Чжу, К., Рен, Л., Сюй, В., Чжао, Дж., Хан, Т., Уорсноп, Д.Р., и Ван, З .: Первичные и вторичные аэрозоли в Зимний Пекин: истоки, вариации и процессы, Атмос. Chem. Phys., 16, 8309–8329, https://doi.org/10.5194/acp-16-8309-2016, 2016.

Tang, G., Zhu, X., Hu, B., Xin, J. , Ван, Л., Мюнкель, К., Мао, Г., и Ван Й .: Влияние мер контроля за выбросами на качество воздуха в Пекине во время АТЭС 2014: лидарные облакомеры, Атмос.Chem. Phys., 15, 12667–12680, https://doi.org/10.5194/acp-15-12667-2015, 2015.

Цигаридис, К., Даскалакис, Н., Канакиду, М., Адамс, П.Дж., Артаксо, П., Бахадур, Р. , Balkanski, Y., Bauer, SE, Bellouin, N., Benedetti, A., Bergman, T., Berntsen, TK, Beukes, JP, Bian, H., Carslaw, KS, Chin, M., Curci, G ., Диль, Т., Истер, Р.С., Ган, С.Дж., Гонг, С.Л., Ходзич, А., Хойл, С.Р., Иверсен, Т., Джатар, С., Хименес, Д.Л., Кайзер, Д.В., Киркевог, А. , Кох, Д., Коккола, Х., Ли, Ю.Х., Лин, Г., Лю, X., Луо, Г., Ма, X., Манн, Г.В., Михалопулос, Н., Моркрет, Ж.-Дж., Мюллер, Ж.-Ф., Мюре, Г., Мириокефалитакис, С., Нг, Н. Л., О’Доннелл, Д., Пеннер, Дж. Э., Поццоли, Л., Прингл, К. Дж., Рассел, Л. М., Шульц, М., Скиаре, Дж., Селанд, Ø. , Шинделл, Д.Т., Силлман, С., Скей, Р.Б., Спраклен, Д., Ставраку, Т., Стинрод, С.Д., Такемура, Т., Тийтта, П., Тилмес, С., Тост, Х., ван Нойе , Т., ван Зил, П.Г., фон Зальцен, К., Ю, Ф., Ван, З., Ван, З., Завери, Р.А., Чжан, Х., Чжан, К., Чжан, Q., и Чжан, X .: Оценка AeroCom и взаимное сравнение органических аэрозолей в глобальных моделях, Atmos. Chem. Phys., 14, 10845–10895, https://doi.org/10.5194/acp-14-10845-2014, 2014.

Ulbrich, IM, Canagaratna, MR, Zhang, Q., Worsnop, DR, and Jimenez , JL: Интерпретация органических компонентов на основе положительной матричной факторизации аэрозольных масс-спектрометрических данных, Atmos. Chem. Phys., 9, 2891–2918, https://doi.org/10.5194/acp-9-2891-2009, 2009.

Ван Кревелен, Д.W .: Графико-статистический метод исследования структуры. и процессы реакции угля, Fuel, 24, 269–284, 1950.

Wang, X., Heald, CL, Ridley, DA, Schwarz, JP, Spackman, JR, Perring, AE, Coe, H., Liu, Д., и Кларк, А.Д .: Использование одновременных наблюдательных ограничений на массу и поглощение для оценки глобального прямого радиационного воздействия на черный и коричневый углерод, Atmos. Chem. Phys., 14, 10989–11010, https://doi.org/10.5194/acp-14-10989-2014, 2014.

Wu, F., Xie, P., Li, A., Mou, F., Chen, H., Zhu, Y., Zhu, T., Liu, J., и Liu, W.: Исследования временного и пространственного распределения предшественников. SO ₂ и NO ₂ вертикальные колонны на Северо-Китайской равнине с использованием мобильных DOAS, Atmos. Chem. Phys., 18, 1535–1554, https://doi.org/10.5194/acp-18-1535-2018, 2018.

Xu, WQ, Sun, YL, Chen, C., Du, W., Han , TT, Wang, QQ, Fu, PQ, Wang, ZF, Zhao, XJ, Zhou, LB, Ji, DS, Wang, PC, and Worsnop, DR: Состав аэрозоля, свойства окисления и источники в Пекине: результаты Исследование саммита Азиатско-Тихоокеанского экономического сотрудничества 2014 г., Atmos.Chem. Phys., 15, 13681–13698, https://doi.org/10.5194/acp-15-13681-2015, 2015.

Xu, WY, Zhao, CS, Ran, L., Lin, WL, Yan, P., and Xu, XB: SO ₂ Явление полуденного пика на Северо-Китайской равнине, Атмосфер. Chem. Phys., 14, 7757–7768, https://doi.org/10.5194/acp-14-7757-2014, 2014.

Zhang, JK, Sun, Y., Liu, ZR, Ji, DS, Hu, Б., Лю, К., и Ван, Ю.С.: Характеристика субмикронных аэрозолей в течение месяца серьезного загрязнения в Пекине, 2013 г., Атмосфер.Chem. Phys., 14, 2887–2903, https://doi.org/10.5194/acp-14-2887-2014, 2014.

Zhang, Q., Jimenez, JL, Canagaratna, MR, Allan, JD, Coe, ЧАС., Ульбрих, И., Альфарра, М. Р., Таками, А., Миддлбрук, А. М., Сан, Ю. Л., Дзепина, К., Дунли, Э., Дочерти, К., ДеКарло, П. Ф., Сальседо, Д., Онаш, Т., Джейн, Дж. Т., Миёши, Т., Шимоно, А., Хатакеяма, С., Такегава, Н., Кондо, Ю., Шнайдер, Дж., Древник, Ф., Боррманн, С., Веймер, С., Демерджян, К., Уильямс, П., Бауэр, К., Бахрейни, Р., Коттрелл, Л., Гриффин, Р. Дж., Раутиайнен, Дж., Сан, Дж. Й., Чжан, Ю. М., и Уорсноп, Д. Р.: Повсеместность и преобладание кислородсодержащих веществ в органических аэрозолях в средние широты Северного полушария, подверженные антропогенному влиянию, Geophys. Res. Lett., 34, L13801, https://doi.org/10.1029/2007gl029979, 2007.

Zhang, Q., Jimenez, J., Canagaratna, M., Ulbrich, I., Ng, N., Worsnop, Д., и Sun, Y .: Понимание атмосферных органических аэрозолей с помощью факторного анализа. аэрозольной масс-спектрометрии: обзор, Anal.Биоанал. Chem., 401, 3045–3067, https://doi.org/10.1007/s00216-011-5355-y, 2011.

Чжан, Р., Сух, И., Чжао, Дж., Чжан, Д., Фортнер, Э. К., Ти, X., Молина, Л. Т., и Молина, М. Дж .: Формирование новых частиц в атмосфере, усиленное за счет Органические кислоты, Science, 304, 1487–1490, https://doi.org/10.1126/science.1095139, 2004.

Zhang, XY, Wang, JZ, Wang, YQ, Liu, HL, Sun, JY, and Zhang, YM: Изменения химических компонентов аэрозольных частиц в различных областях дымки в Китае с 2006 по 2013 год и вклад метеорологических факторы, Атмос.Chem. Phys., 15, 12935–12952, https://doi.org/10.5194/acp-15-12935-2015, 2015.

Zhao, D., Huang, M., Tian, ​​P., He, H. , Лоу, Д., Чжоу, В., Шэн, Дж., Ван, Ф., Би, К., Конг, С., Ян, Ю., Лю, К., Лю, Д., и Дин, Д.: Вертикально. характеристики физических свойств черного углерода в районе Пекина в теплое и холодное время года, Атмос. Окружающая среда, 213, 296–310, https://doi.org/10.1016/j.atmosenv.2019.06.007, 2019.

Vinícius Wu: Novo modelo de eleição de diretores / as escolares: mais democracia e mais transparência nas escolas de Niterói

Por Vinícius Wu

A Prefeitura de Niterói deu início ao processo de renovação dos mandatos de diretores / as escolares.Адосан де ум ново модел де эсколха душ гесторез эсколарес тэ м Suscitado ум рождаются дебаты хунто aos setores interessados ​​em дебатер о футуро да образование на cidade. Нет entanto, alguns mal-entendidos surgiram nas Discussões sobre o tema. O Objetivo deste texto é esclarecer pontos importantes do modelo apresentado.

Em primeiro lugar, cumpre reafirmar que a comunidade escolar seguirá escolhendo livremente, através do voto, seus diretores / as. Mas o processo vai mudar para se tornar mais democrático e transparent.Ума дас Prioridades é dar mais visibilidade a esta importante etapa do planejamento das políticas Educacionais na cidade. Uma gestão escolar verdadeiramente democrática vai muito além das eleições de diretores escolares, ainda que este seja um aspecto decisivo para a afirmação de uma escola democrática e integrationda às comunidades nas quais estão Inseridas.

É Preciso garantir democracia plena, Participação e transparência durante o ano inteiro e não apenas nos períodos de eleições de diretores.

Algumas mudanças que serão realizadas no sistema de escolha das direções escolares já são reivindicadas há muitos anos pela comunidade escolar, como a limitação dos mandatos a apenas uma reeleição. Esta, inclusive, é uma orientação do Plano Municipal de Educação de Niterói.

Outra mudança importante diz respeito ao Discord aberto sobre o planejamento da gestão escolar. Os Candidatos / as deverão apresentar antecipadamente suas propostas para as escolas e os planos de gestão terão decluir ações de transparência na gestão, Incentivo à Participação estudantil, plano de uso de recursos e verbas escolares и т. Д.

Ocommonisso com an education inclusiva, antirracista e a Participação estudantil passam a ser obrigatórios. Da mesma forma, será Preciso dar atenção especial à Educação de jovens e Adults e os novos diretores deverão deverão deverão deverão estratégias de aprofundamento da relação com as comunidades e de fortalecimento dos Conselhos Escola Comunidade (CECs).

A adoção de uma banca externa para avaliação dos planos, que alguns vem erroneamente translateando como um mecanismo de interferência no processo de escolha de diretores, tem o papel de garantir que estes pontos estejam contemplados as кандидат в качестве кандидатов.

Assegurar processos de formação para os gestores escolares é uma obrigação para uma gestãounicipal empenhada na melhoria da qualidade da education na cidade. Ассим, Муниципальный секретариат образования по учебным курсам и инициативам по формированию учебных заведений для возможных кандидатов на обучение по вопросам образования и / или обучения по эсколарии.

E os candatos / as deverão se comprometer com a qualificação profissional e formação permanente para suas equipes no desenvolvimento de seus mandatos.Алем Диссо, Муниципальный секретариат образования, предлагающий услуги по оказанию помощи и помощи в управлении трабалью, в качестве эскола. Haverá acompanhamento sistemático e mais agilidade na resolução de requireas das escolas.

Outra mudança importante diz respeito à colaboração entre as unidades da Rede Municipal. As escolas serão Estimuladas a trocarem Experências, compareharem boas práticas de gestão e atuarem como um verdadeiro sistema. Com mais integrationção, haverá mais democracia e qualidade na education da cidade.

O processo de eleições dos diretores de escola começa em setembro e será terminído em janeiro, com a posse dos novos / as diretores / as. Em dezembro a comunidade escolar vai às urnas, após quase dois meses de preparação e debates a respeito do futuro da education na cidade. É Preciso aperfeiçoar a gestão nas escolas para garantirmos democracia e transparência em cada unidade escolar.

Com um processo mais consistente, democrático e Transparente, pretendemos dar início a uma nova etapa no desenvolvimento das políticas Educacionais na cidade, marcada pelo compomisso com a elevação da qualidade da Educação.

Vinicius Wu, Secretário de Educação de Niterói
Tatiana Santos, Assessora de Desenvolvimento da Educação da SME (ex-Diretora da E.M Antineia Silveira Miranda)

Публикация оригинальной статьи, размер журнала O DIA