Конт в вк: Кнопка ВК-03 одинарная 2-х конт. (выкл. лампочка., на Стинол): продажа, цена в Иркутске. Запчасти для холодильников от «ООО «АНЖЕ»»

Есть потребность?
Получите лучшую цену

Cloudflare

04FE-ST-VK-N | Connecteur FPC JST 4 контакта pas 1.25mm, 2 Rangée (s), Femelle Angle droit, montage Traversant

Техника Caractéristiques

Поверхностный потенциал VK в центре канала и на контакте…

Контекст 1

… VK так, что электрическое поле между иглой и образцом незначительно, потенциалы иглы и поверхности образца практически одинаковы, и это дает G 1 x V = V + ⌬⌽ знак равно V + ␳ ͑ z dzdx. ͑ 1 ͒ Как показано на рис. 2 в OFET, разумно предположить, что заряды накапливаются и захватываются вблизи границы раздела пентацен-диэлектрик. В этом случае V K становится мерой поверхностной плотности заряда ␴ = V K — V G ͒ / C G, где C G — площадная емкость затвора.Поскольку ␴ представляет собой сумму положительных и отрицательных зарядов, которые либо удерживаются, либо являются подвижными, определение плотности удерживаемых зарядов по-прежнему не является простым. При накоплении или даже в равновесии захваченные заряды недоступны для SKPM, поскольку они компенсируются мобильными дополнительными носителями заряда. Чтобы отделить захваченные заряды от мобильных, мобильные носители заряда могут быть временно вытеснены из канала путем приложения напряжения VC как на истоке, так и на контакте стока ͑ V DS = 0 ͒, в то время как на затворе остается 0 В ͑ V GS = — ВК ͒.В таких условиях оставшаяся плотность захваченного заряда отражается исключительно на поверхностном потенциале. В частности, поверхностный потенциал V K регистрируется в центре канала во время последовательно повторяющихся разверток V C. Обычно V K следует за V C во время накопления мобильных носителей заряда, поскольку дальнейшая инжекция и, таким образом, накопление прекращаются, когда потенциал в канале принимает потенциал контактов. Напротив, постоянная V K указывает на истощение мобильных носителей заряда.Тогда такая V K зависит от потенциала затвора и оставшегося удерживаемого заряда. Истощение происходит, когда мобильные носители заряда полностью извлекаются из канала и любые дополнительные носители заряда еще не достигли точки измерения SKPM из-за ограниченной инжекции или переноса в канале. ВАХ на рис. 3 подтверждают p- и n-тип поведения OFET, содержащих контакты Au и Ca соответственно. Поведение чистого p-типа возможно только до тех пор, пока дырки легко вводятся в канал, а электроны блокируются.Напротив, эффективная инжекция электронов в сочетании с инжекцией заблокированных дырок отражается в поведении n-типа. На рис. 4 ͑ a результат измерения SKPM показан для OFET пентацена с контактами из кальция. Линия, отмеченная кружками, соответствует эталонному измерению с наконечником, расположенным над металлическим контактным электродом. Начиная с VC = −30 V ͑ = — V GS ͒ потенциал VK в канале сначала следует за увеличивающимся VC, что указывает на проводящий канал, который способен компенсировать разность потенциалов между затвором и контактами истока / стока за счет покидания подвижных электронов. канал транзистора.Когда V K и V C превышают -20 В, V K начинает отставать от V C, указывая на снижение проводимости канала и потерю подвижных электронов в канале. Практически постоянный потенциал V K от -20 В до V C = + 25 В указывает на полное отсутствие подвижных электронов и достаточно высокий энергетический барьер для инжекции дырок на контакте пентацен / Ca в этом потенциальном режиме. Увеличивающийся эффективный потенциал между захваченными отрицательными носителями заряда в канале и электродами истока и стока, наконец, позволяет вводить отверстия 8 в устройство.Это происходит при эффективной разности потенциалов V = V C — V K = + 40 В на электродах стока истока. Обратите внимание, что эта дырочная инжекция происходит от Ca-электродов, поддерживаемых электрическим полем захваченных электронов на диэлектрике затвора. Такое поведение недавно было предложено Benson et al. 9 Между -20 В V C Ͻ + 25 В, V K близко к -20 В, что указывает на удерживаемый отрицательный поверхностный заряд 0,3 Кл / см 2 ͑ ␴ S = C S V K ͒. Фактическое местоположение захваченного заряда в диэлектрике не может быть определено, поскольку постоянный потенциал V K также может быть результатом зарядов, захваченных в объеме изолятора.Небольшое увеличение V K в области истощения могло быть связано с уменьшением отрицательного заряда. Вставка на рис. 4 ͑ a ͒ показывает, что V K также уменьшается со временем после того, как устройство работало в режиме накопления электронов. В этом случае эксперимент проводится при V C = 0 В ͑ все клеммы заземлены ͒ после работы при V DS = V GS = 20 В в течение 800 с. После того, как контакты истока / стока были заземлены, V K начинает повышаться до уровня -8 В в течение нескольких минут. Насыщение может быть вызвано глубокими ловушками электронов, в то время как увеличение V K может быть результатом детектирования с мелких уровней ловушек.Такой временный захват электронов может быть причиной выраженного гистерезиса, наблюдаемого в выходной характеристике OFET n-типа, изображенной на рис. 3 ͑ b ͒. Чтобы оценить способность захвата дырок на границе раздела пентацен / ПММА, были выполнены соответствующие измерения для устройства с золотыми электродами истока / стока, которые показаны на рис. 4 ͑ b. Для положительных напряжений OFET находится в накоплении отверстий, и V K равно V C. Во время первой развертки от V C = + 20 В до V C = -30 В канал истощается от мобильных носителей заряда между V C = 0 В и V C = -23 В.Значительный оставшийся заряд не обнаружен. Это хорошо согласуется с низким гистерезисом соответствующих выходных характеристик, изображенных на рис. 3 ͑ a ͒. V K остается постоянным до тех пор, пока при V C −23 V электроны инжектируются в канал из-за возникающих сильных электрических полей. После установления V C = -30 В потенциал V C снова увеличивается. Можно заметить, что V K следует за V C до -15 В. Затем наблюдается небольшое отклонение полной компенсации между -12,5 В V C -8 В из-за истощения мобильных отрицательных зарядов в канале.Во время истощения в канале обнаруживается захваченный заряд -0,18 Кл / см 2. Этот режим обеднения, однако, относительно невелик по сравнению с режимом, наблюдаемым для электродов из Са на рис. 4 ͑ a. Это можно объяснить более низким энергетическим барьером для инжекции дырок из Au по сравнению с инжекцией дырок из Ca. Для второй развертки накопления дырок, начиная с VC = 20 В ͓ см. Рис. 4 ͑ b, никаких различий не наблюдается, пока VC Ͼ 0 В. Однако ниже VC = 0 В может наблюдаться отклонение от первого измерения. .При понижении до -4 В V K продолжает следовать за V C, указывая на то, что канал не истощается при небольших отрицательных напряжениях. Это можно понять по наличию подвижных дырок в канале, компенсирующих остаточные глубоко захваченные отрицательные заряды от первой развертки. Действительно, при дальнейшем уменьшении V C постоянная V K находится при больших отрицательных значениях, соответствующих плотности поверхностного заряда td = 5 · 10 -8 Кл / см 2. Следует отметить, что дополнительные циклы V C увеличивают накопленный заряд.То, что накопленный отрицательный заряд не рекомбинирует с дырками в предыдущем режиме накопления дырок, указывает либо на очень маленькое поперечное сечение ловушки, либо на пространственное расстояние между захваченными электронами и накопленными дырками. Такая удаленная ловушка для заряда может быть вызвана ловушками на границе SiO 2 / ПММА в случае, если электроны могут просачиваться через слой ПММА. Учитывая, что OFET p-типа в выключенном состоянии обычно смещены для накопления электронов, работа в выключенном состоянии может спровоцировать наблюдаемый захват электронов.Сдвиг потенциала, вызванный захваченными электронами, затем приводит к увеличению накопления дырок и проводимости канала, что известно как источник сдвигов порогового напряжения. Из представленных выше экспериментов SKPM можно сделать вывод, что исследуемая граница раздела ПММА / пентацен предпочтительно улавливает электроны. В то время как часть наблюдаемых захваченных электронов высвобождается в течение постоянной времени менее минуты, другая часть задерживается, по крайней мере, на сутки. Даже после накопления дырок в канале не наблюдается значительного разрушения глубоких ловушек на SiO 2 / PMMA.Захваченный отрицательный заряд влияет как на транспорт n-, так и на p-тип, уменьшая плотность подвижных электронов и увеличивая плотность подвижных дырок. Для устройств n-типа это приводит к гистерезису ВАХ, вызванному наличием электронных ловушек. Во время измерения Авторы измерений должны были очистить, как пустые, чтобы поблагодарить ловушки, которые Bundesministerium заполнены накопившимися für Bildung электронами и Forschung, что приводит к «BMBF изменению» финансовой проводимости их каналов.порт через В отличие от Проекта № IV 01BI564. Характеристики устройств p-типа показывают пренебрежимо малый гистерезис, что позволяет предположить, что захват носителей заряда не происходит, несмотря на существующие электронные ловушки. Однако представленный эксперимент SKPM показывает, что инжекция и захват электронов в OFET p-типа возможны. При протекании дырочного тока в канале инжектированные электроны рекомбинируют с дырками, прежде чем они могут быть захвачены. Таким образом, влияния ловушек электронов на ВАХ не ожидается.Однако бывают ситуации, когда в канале не накапливаются дырки, а именно V DS ഛ V GS и V GS ജ 0 В. Это позволяет захватить инжектированные электроны, и, следовательно, может быть вызван сдвиг порогового напряжения, изменяющий впоследствии ток забойной скважины. Следует подчеркнуть, что операция OFET при V GS = 0 В в режиме глубокого насыщения, как показано на рисунке 1, типична для цифровых схем. Кроме того, из литературы 1,5 известно, что многие OFET p-типа обеспечивают высокую плотность захвата электронов, что делает их уязвимыми для наблюдаемого механизма инжекции и захвата.Поэтому возможность инжекции и захвата электронов в OFET p-типа должна быть тщательно изучена и принята во внимание при исследовании таких устройств. Авторы хотели бы поблагодарить Bundesministerium für Bildung und Forschung ͑ BMBF ͒ за финансовую поддержку в рамках проекта № …

Контекст 2

… VK за то, что электрическое поле между наконечником и образцом составляет пренебрежимо малым, потенциалы иглы и поверхности образца практически одинаковы, и это дает G 1 x V = V + ⌬⌽ = V + ␳ ͑ z ͒ dzdx.͑ 1 ͒ Как показано на рис. 2 в OFET, разумно предположить, что заряды накапливаются и захватываются вблизи границы раздела пентацен-диэлектрик. В этом случае V K становится мерой поверхностной плотности заряда ␴ = V K — V G ͒ / C G, где C G — площадная емкость затвора. Поскольку ␴ представляет собой сумму положительных и отрицательных зарядов, которые либо удерживаются, либо являются подвижными, определение плотности удерживаемых зарядов по-прежнему не является простым. При накоплении или даже в равновесии захваченные заряды недоступны для SKPM, поскольку они компенсируются мобильными дополнительными носителями заряда.Чтобы отделить захваченные заряды от мобильных, мобильные носители заряда могут быть временно вытеснены из канала путем приложения напряжения VC как на истоке, так и на контакте стока ͑ V DS = 0 ͒, в то время как на затворе остается 0 В ͑ V GS = — ВК ͒. В таких условиях оставшаяся плотность захваченного заряда отражается исключительно на поверхностном потенциале. В частности, поверхностный потенциал V K регистрируется в центре канала во время последовательно повторяющихся разверток V C. Обычно V K следует за V C во время накопления мобильных носителей заряда, поскольку дальнейшая инжекция и, таким образом, накопление прекращаются, когда потенциал в канале принимает потенциал контактов.Напротив, постоянная V K указывает на истощение мобильных носителей заряда. Тогда такая V K зависит от потенциала затвора и оставшегося удерживаемого заряда. Истощение происходит, когда мобильные носители заряда полностью извлекаются из канала и любые дополнительные носители заряда еще не достигли точки измерения SKPM из-за ограниченной инжекции или переноса в канале. ВАХ на рис. 3 подтверждают p- и n-тип поведения OFET, содержащих контакты Au и Ca соответственно.Поведение чистого p-типа возможно только до тех пор, пока дырки легко вводятся в канал, а электроны блокируются. Напротив, эффективная инжекция электронов в сочетании с инжекцией заблокированных дырок отражается в поведении n-типа. На рис. 4 ͑ a результат измерения SKPM показан для OFET пентацена с контактами из кальция. Линия, отмеченная кружками, соответствует эталонному измерению с наконечником, расположенным над металлическим контактным электродом. Начиная с VC = −30 V ͑ = — V GS ͒ потенциал VK в канале сначала следует за увеличивающимся VC, что указывает на проводящий канал, который способен компенсировать разность потенциалов между затвором и контактами истока / стока за счет покидания подвижных электронов. канал транзистора.Когда V K и V C превышают -20 В, V K начинает отставать от V C, указывая на снижение проводимости канала и потерю подвижных электронов в канале. Практически постоянный потенциал V K от -20 В до V C = + 25 В указывает на полное отсутствие подвижных электронов и достаточно высокий энергетический барьер для инжекции дырок на контакте пентацен / Ca в этом потенциальном режиме. Увеличивающийся эффективный потенциал между захваченными отрицательными носителями заряда в канале и электродами истока и стока, наконец, позволяет вводить отверстия 8 в устройство.Это происходит при эффективной разности потенциалов V = V C — V K = + 40 В на электродах стока истока. Обратите внимание, что эта дырочная инжекция происходит от Ca-электродов, поддерживаемых электрическим полем захваченных электронов на диэлектрике затвора. Такое поведение недавно было предложено Benson et al. 9 Между -20 В V C Ͻ + 25 В, V K близко к -20 В, что указывает на удерживаемый отрицательный поверхностный заряд 0,3 Кл / см 2 ͑ ␴ S = C S V K ͒. Фактическое местоположение захваченного заряда в диэлектрике не может быть определено, поскольку постоянный потенциал V K также может быть результатом зарядов, захваченных в объеме изолятора.Небольшое увеличение V K в области истощения могло быть связано с уменьшением отрицательного заряда. Вставка на рис. 4 ͑ a ͒ показывает, что V K также уменьшается со временем после того, как устройство работало в режиме накопления электронов. В этом случае эксперимент проводится при V C = 0 В ͑ все клеммы заземлены ͒ после работы при V DS = V GS = 20 В в течение 800 с. После того, как контакты истока / стока были заземлены, V K начинает повышаться до уровня -8 В в течение нескольких минут. Насыщение может быть вызвано глубокими ловушками электронов, в то время как увеличение V K может быть результатом детектирования с мелких уровней ловушек.Такой временный захват электронов может быть причиной выраженного гистерезиса, наблюдаемого в выходной характеристике OFET n-типа, изображенной на рис. 3 ͑ b ͒. Чтобы оценить способность захвата дырок на границе раздела пентацен / ПММА, были выполнены соответствующие измерения для устройства с золотыми электродами истока / стока, которые показаны на рис. 4 ͑ b. Для положительных напряжений OFET находится в накоплении отверстий, и V K равно V C. Во время первой развертки от V C = + 20 В до V C = -30 В канал истощается от мобильных носителей заряда между V C = 0 В и V C = -23 В.Значительный оставшийся заряд не обнаружен. Это хорошо согласуется с низким гистерезисом соответствующих выходных характеристик, изображенных на рис. 3 ͑ a ͒. V K остается постоянным до тех пор, пока при V C −23 V электроны инжектируются в канал из-за возникающих сильных электрических полей. После установления V C = -30 В потенциал V C снова увеличивается. Можно заметить, что V K следует за V C до -15 В. Затем наблюдается небольшое отклонение полной компенсации между -12,5 В V C -8 В из-за истощения мобильных отрицательных зарядов в канале.Во время истощения в канале обнаруживается захваченный заряд -0,18 Кл / см 2. Этот режим обеднения, однако, относительно невелик по сравнению с режимом, наблюдаемым для электродов из Са на рис. 4 ͑ a. Это можно объяснить более низким энергетическим барьером для инжекции дырок из Au по сравнению с инжекцией дырок из Ca. Для второй развертки накопления дырок, начиная с VC = 20 В ͓ см. Рис. 4 ͑ b, никаких различий не наблюдается, пока VC Ͼ 0 В. Однако ниже VC = 0 В может наблюдаться отклонение от первого измерения. .При понижении до -4 В V K продолжает следовать за V C, указывая на то, что канал не истощается при небольших отрицательных напряжениях. Это можно понять по наличию подвижных дырок в канале, компенсирующих остаточные глубоко захваченные отрицательные заряды от первой развертки. Действительно, при дальнейшем уменьшении V C постоянная V K находится при больших отрицательных значениях, соответствующих плотности поверхностного заряда td = 5 · 10 -8 Кл / см 2. Следует отметить, что дополнительные циклы V C увеличивают накопленный заряд.То, что накопленный отрицательный заряд не рекомбинирует с дырками в предыдущем режиме накопления дырок, указывает либо на очень маленькое поперечное сечение ловушки, либо на пространственное расстояние между захваченными электронами и накопленными дырками. Такая удаленная ловушка для заряда может быть вызвана ловушками на границе SiO 2 / ПММА в случае, если электроны могут просачиваться через слой ПММА. Учитывая, что OFET p-типа в выключенном состоянии обычно смещены для накопления электронов, работа в выключенном состоянии может спровоцировать наблюдаемый захват электронов.Сдвиг потенциала, вызванный захваченными электронами, затем приводит к увеличению накопления дырок и проводимости канала, что известно как источник сдвигов порогового напряжения. Из представленных выше экспериментов SKPM можно сделать вывод, что исследуемая граница раздела ПММА / пентацен предпочтительно улавливает электроны. В то время как часть наблюдаемых захваченных электронов высвобождается в течение постоянной времени менее минуты, другая часть задерживается, по крайней мере, на сутки. Даже после накопления дырок в канале не наблюдается значительного разрушения глубоких ловушек на SiO 2 / PMMA.Захваченный отрицательный заряд влияет как на транспорт n-, так и на p-тип, уменьшая плотность подвижных электронов и увеличивая плотность подвижных дырок. Для устройств n-типа это приводит к гистерезису ВАХ, вызванному наличием электронных ловушек. Во время измерения Авторы измерений должны были очистить, как пустые, чтобы поблагодарить ловушки, которые Bundesministerium заполнены накопившимися für Bildung электронами и Forschung, что приводит к «BMBF изменению» финансовой проводимости их каналов.порт через В отличие от Проекта № IV 01BI564. Характеристики устройств p-типа показывают пренебрежимо малый гистерезис, что позволяет предположить, что захват носителей заряда не происходит, несмотря на существующие электронные ловушки. Однако представленный эксперимент SKPM показывает, что инжекция и захват электронов в OFET p-типа возможны. При протекании дырочного тока в канале инжектированные электроны рекомбинируют с дырками, прежде чем они могут быть захвачены. Таким образом, влияния ловушек электронов на ВАХ не ожидается.Однако бывают ситуации, когда в канале не накапливаются дырки, а именно V DS ഛ V GS и V GS ജ 0 В. Это позволяет захватить инжектированные электроны, и, следовательно, может быть вызван сдвиг порогового напряжения, изменяющий впоследствии ток забойной скважины. Следует подчеркнуть, что операция OFET при V GS = 0 В в режиме глубокого насыщения, как показано на рисунке 1, типична для цифровых схем. Кроме того, из литературы 1,5 известно, что многие OFET p-типа обеспечивают высокую плотность захвата электронов, что делает их уязвимыми для наблюдаемого механизма инжекции и захвата.Поэтому возможность инжекции и захвата электронов в OFET p-типа должна быть тщательно изучена и принята во внимание при исследовании таких устройств. Авторы хотели бы поблагодарить Bundesministerium für Bildung und Forschung ͑ BMBF ͒ за их финансовую поддержку в рамках проекта № …

Контекст 3

… VK за то, что электрическое поле между наконечником и образцом составляет пренебрежимо мало, потенциалы иглы и поверхности образца практически одинаковы, и это дает G 1 x V = V + ⌬⌽ = V + ␳ ͑ z ͒ dzdx.͑ 1 ͒ Как показано на рис. 2 в OFET, разумно предположить, что заряды накапливаются и захватываются вблизи границы раздела пентацен-диэлектрик. В этом случае V K становится мерой поверхностной плотности заряда ␴ = V K — V G ͒ / C G, где C G — площадная емкость затвора. Поскольку ␴ представляет собой сумму положительных и отрицательных зарядов, которые либо удерживаются, либо являются подвижными, определение плотности удерживаемых зарядов по-прежнему не является простым. При накоплении или даже в равновесии захваченные заряды недоступны для SKPM, поскольку они компенсируются мобильными дополнительными носителями заряда.Чтобы отделить захваченные заряды от мобильных, мобильные носители заряда могут быть временно вытеснены из канала путем приложения напряжения VC как на истоке, так и на контакте стока ͑ V DS = 0 ͒, в то время как на затворе остается 0 В ͑ V GS = — ВК ͒. В таких условиях оставшаяся плотность захваченного заряда отражается исключительно на поверхностном потенциале. В частности, поверхностный потенциал V K регистрируется в центре канала во время последовательно повторяющихся разверток V C. Обычно V K следует за V C во время накопления мобильных носителей заряда, поскольку дальнейшая инжекция и, таким образом, накопление прекращаются, когда потенциал в канале принимает потенциал контактов.Напротив, постоянная V K указывает на истощение мобильных носителей заряда. Тогда такая V K зависит от потенциала затвора и оставшегося удерживаемого заряда. Истощение происходит, когда мобильные носители заряда полностью извлекаются из канала и любые дополнительные носители заряда еще не достигли точки измерения SKPM из-за ограниченной инжекции или переноса в канале. ВАХ на рис. 3 подтверждают p- и n-тип поведения OFET, содержащих контакты Au и Ca соответственно.Поведение чистого p-типа возможно только до тех пор, пока дырки легко вводятся в канал, а электроны блокируются. Напротив, эффективная инжекция электронов в сочетании с инжекцией заблокированных дырок отражается в поведении n-типа. На рис. 4 ͑ a результат измерения SKPM показан для OFET пентацена с контактами из кальция. Линия, отмеченная кружками, соответствует эталонному измерению с наконечником, расположенным над металлическим контактным электродом. Начиная с VC = −30 V ͑ = — V GS ͒ потенциал VK в канале сначала следует за увеличивающимся VC, что указывает на проводящий канал, который способен компенсировать разность потенциалов между затвором и контактами истока / стока за счет покидания подвижных электронов. канал транзистора.Когда V K и V C превышают -20 В, V K начинает отставать от V C, указывая на снижение проводимости канала и потерю подвижных электронов в канале. Практически постоянный потенциал V K от -20 В до V C = + 25 В указывает на полное отсутствие подвижных электронов и достаточно высокий энергетический барьер для инжекции дырок на контакте пентацен / Ca в этом потенциальном режиме. Увеличивающийся эффективный потенциал между захваченными отрицательными носителями заряда в канале и электродами истока и стока, наконец, позволяет вводить отверстия 8 в устройство.Это происходит при эффективной разности потенциалов V = V C — V K = + 40 В на электродах стока истока. Обратите внимание, что эта дырочная инжекция происходит от Ca-электродов, поддерживаемых электрическим полем захваченных электронов на диэлектрике затвора. Такое поведение недавно было предложено Benson et al. 9 Между -20 В V C Ͻ + 25 В, V K близко к -20 В, что указывает на удерживаемый отрицательный поверхностный заряд 0,3 Кл / см 2 ͑ ␴ S = C S V K ͒. Фактическое местоположение захваченного заряда в диэлектрике не может быть определено, поскольку постоянный потенциал V K также может быть результатом зарядов, захваченных в объеме изолятора.Небольшое увеличение V K в области истощения могло быть связано с уменьшением отрицательного заряда. Вставка на рис. 4 ͑ a ͒ показывает, что V K также уменьшается со временем после того, как устройство работало в режиме накопления электронов. В этом случае эксперимент проводится при V C = 0 В ͑ все клеммы заземлены ͒ после работы при V DS = V GS = 20 В в течение 800 с. После того, как контакты истока / стока были заземлены, V K начинает повышаться до уровня -8 В в течение нескольких минут. Насыщение может быть вызвано глубокими ловушками электронов, в то время как увеличение V K может быть результатом детектирования с мелких уровней ловушек.Такой временный захват электронов может быть причиной выраженного гистерезиса, наблюдаемого в выходной характеристике OFET n-типа, изображенной на рис. 3 ͑ b ͒. Чтобы оценить способность захвата дырок на границе раздела пентацен / ПММА, были выполнены соответствующие измерения для устройства с золотыми электродами истока / стока, которые показаны на рис. 4 ͑ b. Для положительных напряжений OFET находится в накоплении отверстий, и V K равно V C. Во время первой развертки от V C = + 20 В до V C = -30 В канал истощается от мобильных носителей заряда между V C = 0 В и V C = -23 В.Значительный оставшийся заряд не обнаружен. Это хорошо согласуется с низким гистерезисом соответствующих выходных характеристик, изображенных на рис. 3 ͑ a ͒. V K остается постоянным до тех пор, пока при V C −23 V электроны инжектируются в канал из-за возникающих сильных электрических полей. После установления V C = -30 В потенциал V C снова увеличивается. Можно заметить, что V K следует за V C до -15 В. Затем наблюдается небольшое отклонение полной компенсации между -12,5 В V C -8 В из-за истощения мобильных отрицательных зарядов в канале.Во время истощения в канале обнаруживается захваченный заряд -0,18 Кл / см 2. Этот режим обеднения, однако, относительно невелик по сравнению с режимом, наблюдаемым для электродов из Са на рис. 4 ͑ a. Это можно объяснить более низким энергетическим барьером для инжекции дырок из Au по сравнению с инжекцией дырок из Ca. Для второй развертки накопления дырок, начиная с VC = 20 В ͓ см. Рис. 4 ͑ b, никаких различий не наблюдается, пока VC Ͼ 0 В. Однако ниже VC = 0 В может наблюдаться отклонение от первого измерения. .При понижении до -4 В V K продолжает следовать за V C, указывая на то, что канал не истощается при небольших отрицательных напряжениях. Это можно понять по наличию подвижных дырок в канале, компенсирующих остаточные глубоко захваченные отрицательные заряды от первой развертки. Действительно, при дальнейшем уменьшении V C постоянная V K находится при больших отрицательных значениях, соответствующих плотности поверхностного заряда td = 5 · 10 -8 Кл / см 2. Следует отметить, что дополнительные циклы V C увеличивают накопленный заряд.То, что накопленный отрицательный заряд не рекомбинирует с дырками в предыдущем режиме накопления дырок, указывает либо на очень маленькое поперечное сечение ловушки, либо на пространственное расстояние между захваченными электронами и накопленными дырками. Такая удаленная ловушка для заряда может быть вызвана ловушками на границе SiO 2 / ПММА в случае, если электроны могут просачиваться через слой ПММА. Учитывая, что OFET p-типа в выключенном состоянии обычно смещены для накопления электронов, работа в выключенном состоянии может спровоцировать наблюдаемый захват электронов.Сдвиг потенциала, вызванный захваченными электронами, затем приводит к увеличению накопления дырок и проводимости канала, что известно как источник сдвигов порогового напряжения. Из представленных выше экспериментов SKPM можно сделать вывод, что исследуемая граница раздела ПММА / пентацен предпочтительно улавливает электроны. В то время как часть наблюдаемых захваченных электронов высвобождается в течение постоянной времени менее минуты, другая часть задерживается, по крайней мере, на сутки. Даже после накопления дырок в канале не наблюдается значительного разрушения глубоких ловушек на SiO 2 / PMMA.Захваченный отрицательный заряд влияет как на транспорт n-, так и на p-тип, уменьшая плотность подвижных электронов и увеличивая плотность подвижных дырок. Для устройств n-типа это приводит к гистерезису ВАХ, вызванному наличием электронных ловушек. Во время измерения Авторы измерений должны были очистить, как пустые, чтобы поблагодарить ловушки, которые Bundesministerium заполнены накопившимися für Bildung электронами и Forschung, что приводит к «BMBF изменению» финансовой проводимости их каналов.порт через В отличие от Проекта № IV 01BI564. Характеристики устройств p-типа показывают пренебрежимо малый гистерезис, что позволяет предположить, что захват носителей заряда не происходит, несмотря на существующие электронные ловушки. Однако представленный эксперимент SKPM показывает, что инжекция и захват электронов в OFET p-типа возможны. При протекании дырочного тока в канале инжектированные электроны рекомбинируют с дырками, прежде чем они могут быть захвачены. Таким образом, влияния ловушек электронов на ВАХ не ожидается.Однако бывают ситуации, когда в канале не накапливаются дырки, а именно V DS ഛ V GS и V GS ജ 0 В. Это позволяет захватить инжектированные электроны, и, следовательно, может быть вызван сдвиг порогового напряжения, изменяющий впоследствии ток забойной скважины. Следует подчеркнуть, что операция OFET при V GS = 0 В в режиме глубокого насыщения, как показано на рисунке 1, типична для цифровых схем. Кроме того, из литературы 1,5 известно, что многие OFET p-типа обеспечивают высокую плотность захвата электронов, что делает их уязвимыми для наблюдаемого механизма инжекции и захвата.Поэтому возможность инжекции и захвата электронов в OFET p-типа должна быть тщательно изучена и принята во внимание при исследовании таких устройств. Авторы хотели бы поблагодарить Bundesministerium für Bildung und Forschung ͑ BMBF ͒ за их финансовую поддержку в рамках проекта № …

Контекст 4

… VK за то, что электрическое поле между наконечником и образцом составляет пренебрежимо мало, потенциалы иглы и поверхности образца практически одинаковы, и это дает G 1 x V = V + ⌬⌽ = V + ␳ ͑ z ͒ dzdx.͑ 1 ͒ Как показано на рис. 2 в OFET, разумно предположить, что заряды накапливаются и захватываются вблизи границы раздела пентацен-диэлектрик. В этом случае V K становится мерой поверхностной плотности заряда ␴ = V K — V G ͒ / C G, где C G — площадная емкость затвора. Поскольку ␴ представляет собой сумму положительных и отрицательных зарядов, которые либо удерживаются, либо являются подвижными, определение плотности удерживаемых зарядов по-прежнему не является простым. При накоплении или даже в равновесии захваченные заряды недоступны для SKPM, поскольку они компенсируются мобильными дополнительными носителями заряда.Чтобы отделить захваченные заряды от мобильных, мобильные носители заряда могут быть временно вытеснены из канала путем приложения напряжения VC как на истоке, так и на контакте стока ͑ V DS = 0 ͒, в то время как на затворе остается 0 В ͑ V GS = — ВК ͒. В таких условиях оставшаяся плотность захваченного заряда отражается исключительно на поверхностном потенциале. В частности, поверхностный потенциал V K регистрируется в центре канала во время последовательно повторяющихся разверток V C. Обычно V K следует за V C во время накопления мобильных носителей заряда, поскольку дальнейшая инжекция и, таким образом, накопление прекращаются, когда потенциал в канале принимает потенциал контактов.Напротив, постоянная V K указывает на истощение мобильных носителей заряда. Тогда такая V K зависит от потенциала затвора и оставшегося удерживаемого заряда. Истощение происходит, когда мобильные носители заряда полностью извлекаются из канала и любые дополнительные носители заряда еще не достигли точки измерения SKPM из-за ограниченной инжекции или переноса в канале. ВАХ на рис. 3 подтверждают p- и n-тип поведения OFET, содержащих контакты Au и Ca соответственно.Поведение чистого p-типа возможно только до тех пор, пока дырки легко вводятся в канал, а электроны блокируются. Напротив, эффективная инжекция электронов в сочетании с инжекцией заблокированных дырок отражается в поведении n-типа. На рис. 4 ͑ a результат измерения SKPM показан для OFET пентацена с контактами из кальция. Линия, отмеченная кружками, соответствует эталонному измерению с наконечником, расположенным над металлическим контактным электродом. Начиная с VC = −30 V ͑ = — V GS ͒ потенциал VK в канале сначала следует за увеличивающимся VC, что указывает на проводящий канал, который способен компенсировать разность потенциалов между затвором и контактами истока / стока за счет покидания подвижных электронов. канал транзистора.Когда V K и V C превышают -20 В, V K начинает отставать от V C, указывая на снижение проводимости канала и потерю подвижных электронов в канале. Практически постоянный потенциал V K от -20 В до V C = + 25 В указывает на полное отсутствие подвижных электронов и достаточно высокий энергетический барьер для инжекции дырок на контакте пентацен / Ca в этом потенциальном режиме. Увеличивающийся эффективный потенциал между захваченными отрицательными носителями заряда в канале и электродами истока и стока, наконец, позволяет вводить отверстия 8 в устройство.Это происходит при эффективной разности потенциалов V = V C — V K = + 40 В на электродах стока истока. Обратите внимание, что эта дырочная инжекция происходит от Ca-электродов, поддерживаемых электрическим полем захваченных электронов на диэлектрике затвора. Такое поведение недавно было предложено Benson et al. 9 Между -20 В V C Ͻ + 25 В, V K близко к -20 В, что указывает на удерживаемый отрицательный поверхностный заряд 0,3 Кл / см 2 ͑ ␴ S = C S V K ͒. Фактическое местоположение захваченного заряда в диэлектрике не может быть определено, поскольку постоянный потенциал V K также может быть результатом зарядов, захваченных в объеме изолятора.Небольшое увеличение V K в области истощения могло быть связано с уменьшением отрицательного заряда. Вставка на рис. 4 ͑ a ͒ показывает, что V K также уменьшается со временем после того, как устройство работало в режиме накопления электронов. В этом случае эксперимент проводится при V C = 0 В ͑ все клеммы заземлены ͒ после работы при V DS = V GS = 20 В в течение 800 с. После того, как контакты истока / стока были заземлены, V K начинает повышаться до уровня -8 В в течение нескольких минут. Насыщение может быть вызвано глубокими ловушками электронов, в то время как увеличение V K может быть результатом детектирования с мелких уровней ловушек.Такой временный захват электронов может быть причиной выраженного гистерезиса, наблюдаемого в выходной характеристике OFET n-типа, изображенной на рис. 3 ͑ b ͒. Чтобы оценить способность захвата дырок на границе раздела пентацен / ПММА, были выполнены соответствующие измерения для устройства с золотыми электродами истока / стока, которые показаны на рис. 4 ͑ b. Для положительных напряжений OFET находится в накоплении отверстий, и V K равно V C. Во время первой развертки от V C = + 20 В до V C = -30 В канал истощается от мобильных носителей заряда между V C = 0 В и V C = -23 В.Значительный оставшийся заряд не обнаружен. Это хорошо согласуется с низким гистерезисом соответствующих выходных характеристик, изображенных на рис. 3 ͑ a ͒. V K остается постоянным до тех пор, пока при V C −23 V электроны инжектируются в канал из-за возникающих сильных электрических полей. После установления V C = -30 В потенциал V C снова увеличивается. Можно заметить, что V K следует за V C до -15 В. Затем наблюдается небольшое отклонение полной компенсации между -12,5 В V C -8 В из-за истощения мобильных отрицательных зарядов в канале.Во время истощения в канале обнаруживается захваченный заряд -0,18 Кл / см 2. Этот режим обеднения, однако, относительно невелик по сравнению с режимом, наблюдаемым для электродов из Са на рис. 4 ͑ a. Это можно объяснить более низким энергетическим барьером для инжекции дырок из Au по сравнению с инжекцией дырок из Ca. Для второй развертки накопления дырок, начиная с VC = 20 В ͓ см. Рис. 4 ͑ b, никаких различий не наблюдается, пока VC Ͼ 0 В. Однако ниже VC = 0 В может наблюдаться отклонение от первого измерения. .При понижении до -4 В V K продолжает следовать за V C, указывая на то, что канал не истощается при небольших отрицательных напряжениях. Это можно понять по наличию подвижных дырок в канале, компенсирующих остаточные глубоко захваченные отрицательные заряды от первой развертки. Действительно, при дальнейшем уменьшении V C постоянная V K находится при больших отрицательных значениях, соответствующих плотности поверхностного заряда td = 5 · 10 -8 Кл / см 2. Следует отметить, что дополнительные циклы V C увеличивают накопленный заряд.То, что накопленный отрицательный заряд не рекомбинирует с дырками в предыдущем режиме накопления дырок, указывает либо на очень маленькое поперечное сечение ловушки, либо на пространственное расстояние между захваченными электронами и накопленными дырками. Такая удаленная ловушка для заряда может быть вызвана ловушками на границе SiO 2 / ПММА в случае, если электроны могут просачиваться через слой ПММА. Учитывая, что OFET p-типа в выключенном состоянии обычно смещены для накопления электронов, работа в выключенном состоянии может спровоцировать наблюдаемый захват электронов.Сдвиг потенциала, вызванный захваченными электронами, затем приводит к увеличению накопления дырок и проводимости канала, что известно как источник сдвигов порогового напряжения. Из представленных выше экспериментов SKPM можно сделать вывод, что исследуемая граница раздела ПММА / пентацен предпочтительно улавливает электроны. В то время как часть наблюдаемых захваченных электронов высвобождается в течение постоянной времени менее минуты, другая часть задерживается, по крайней мере, на сутки. Даже после накопления дырок в канале не наблюдается значительного разрушения глубоких ловушек на SiO 2 / PMMA.Захваченный отрицательный заряд влияет как на транспорт n-, так и на p-тип, уменьшая плотность подвижных электронов и увеличивая плотность подвижных дырок. Для устройств n-типа это приводит к гистерезису ВАХ, вызванному наличием электронных ловушек. Во время измерения Авторы измерений должны были очистить, как пустые, чтобы поблагодарить ловушки, которые Bundesministerium заполнены накопившимися für Bildung электронами и Forschung, что приводит к «BMBF изменению» финансовой проводимости их каналов.порт через В отличие от Проекта № IV 01BI564. Характеристики устройств p-типа показывают пренебрежимо малый гистерезис, что позволяет предположить, что захват носителей заряда не происходит, несмотря на существующие электронные ловушки. Однако представленный эксперимент SKPM показывает, что инжекция и захват электронов в OFET p-типа возможны. При протекании дырочного тока в канале инжектированные электроны рекомбинируют с дырками, прежде чем они могут быть захвачены. Таким образом, влияния ловушек электронов на ВАХ не ожидается.Однако бывают ситуации, когда в канале не накапливаются дырки, а именно V DS ഛ V GS и V GS ജ 0 В. Это позволяет захватить инжектированные электроны, и, следовательно, может быть вызван сдвиг порогового напряжения, изменяющий впоследствии ток забойной скважины. Следует подчеркнуть, что операция OFET при V GS = 0 В в режиме глубокого насыщения, как показано на рисунке 1, типична для цифровых схем. Кроме того, из литературы 1,5 известно, что многие OFET p-типа обеспечивают высокую плотность захвата электронов, что делает их уязвимыми для наблюдаемого механизма инжекции и захвата.Поэтому возможность инжекции и захвата электронов в OFET p-типа должна быть тщательно изучена и принята во внимание при исследовании таких устройств. Авторы хотели бы поблагодарить Bundesministerium für Bildung und Forschung ͑ BMBF ͒ за финансовую поддержку в рамках проекта № …

Контекст 5

… VK за то, что электрическое поле между наконечником и образцом составляет пренебрежимо мало, потенциалы иглы и поверхности образца практически одинаковы, и это дает G 1 x V = V + ⌬⌽ = V + ␳ ͑ z ͒ dzdx.͑ 1 ͒ Как показано на рис. 2 в OFET, разумно предположить, что заряды накапливаются и захватываются вблизи границы раздела пентацен-диэлектрик. В этом случае V K становится мерой поверхностной плотности заряда ␴ = V K — V G ͒ / C G, где C G — площадная емкость затвора. Поскольку ␴ представляет собой сумму положительных и отрицательных зарядов, которые либо удерживаются, либо являются подвижными, определение плотности удерживаемых зарядов по-прежнему не является простым. При накоплении или даже в равновесии захваченные заряды недоступны для SKPM, поскольку они компенсируются мобильными дополнительными носителями заряда.Чтобы отделить захваченные заряды от мобильных, мобильные носители заряда могут быть временно вытеснены из канала путем приложения напряжения VC как на истоке, так и на контакте стока ͑ V DS = 0 ͒, в то время как на затворе остается 0 В ͑ V GS = — ВК ͒. В таких условиях оставшаяся плотность захваченного заряда отражается исключительно на поверхностном потенциале. В частности, поверхностный потенциал V K регистрируется в центре канала во время последовательно повторяющихся разверток V C. Обычно V K следует за V C во время накопления мобильных носителей заряда, поскольку дальнейшая инжекция и, таким образом, накопление прекращаются, когда потенциал в канале принимает потенциал контактов.Напротив, постоянная V K указывает на истощение мобильных носителей заряда. Тогда такая V K зависит от потенциала затвора и оставшегося удерживаемого заряда. Истощение происходит, когда мобильные носители заряда полностью извлекаются из канала и любые дополнительные носители заряда еще не достигли точки измерения SKPM из-за ограниченной инжекции или переноса в канале. ВАХ на рис. 3 подтверждают p- и n-тип поведения OFET, содержащих контакты Au и Ca соответственно.Поведение чистого p-типа возможно только до тех пор, пока дырки легко вводятся в канал, а электроны блокируются. Напротив, эффективная инжекция электронов в сочетании с инжекцией заблокированных дырок отражается в поведении n-типа. На рис. 4 ͑ a результат измерения SKPM показан для OFET пентацена с контактами из кальция. Линия, отмеченная кружками, соответствует эталонному измерению с наконечником, расположенным над металлическим контактным электродом. Начиная с VC = −30 V ͑ = — V GS ͒ потенциал VK в канале сначала следует за увеличивающимся VC, что указывает на проводящий канал, который способен компенсировать разность потенциалов между затвором и контактами истока / стока за счет покидания подвижных электронов. канал транзистора.Когда V K и V C превышают -20 В, V K начинает отставать от V C, указывая на снижение проводимости канала и потерю подвижных электронов в канале. Практически постоянный потенциал V K от -20 В до V C = + 25 В указывает на полное отсутствие подвижных электронов и достаточно высокий энергетический барьер для инжекции дырок на контакте пентацен / Ca в этом потенциальном режиме. Увеличивающийся эффективный потенциал между захваченными отрицательными носителями заряда в канале и электродами истока и стока, наконец, позволяет вводить отверстия 8 в устройство.Это происходит при эффективной разности потенциалов V = V C — V K = + 40 В на электродах стока истока. Обратите внимание, что эта дырочная инжекция происходит от Ca-электродов, поддерживаемых электрическим полем захваченных электронов на диэлектрике затвора. Такое поведение недавно было предложено Benson et al. 9 Между -20 В V C Ͻ + 25 В, V K близко к -20 В, что указывает на удерживаемый отрицательный поверхностный заряд 0,3 Кл / см 2 ͑ ␴ S = C S V K ͒. Фактическое местоположение захваченного заряда в диэлектрике не может быть определено, поскольку постоянный потенциал V K также может быть результатом зарядов, захваченных в объеме изолятора.Небольшое увеличение V K в области истощения могло быть связано с уменьшением отрицательного заряда. Вставка на рис. 4 ͑ a ͒ показывает, что V K также уменьшается со временем после того, как устройство работало в режиме накопления электронов. В этом случае эксперимент проводится при V C = 0 В ͑ все клеммы заземлены ͒ после работы при V DS = V GS = 20 В в течение 800 с. После того, как контакты истока / стока были заземлены, V K начинает повышаться до уровня -8 В в течение нескольких минут. Насыщение может быть вызвано глубокими ловушками электронов, в то время как увеличение V K может быть результатом детектирования с мелких уровней ловушек.Такой временный захват электронов может быть причиной выраженного гистерезиса, наблюдаемого в выходной характеристике OFET n-типа, изображенной на рис. 3 ͑ b ͒. Чтобы оценить способность захвата дырок на границе раздела пентацен / ПММА, были выполнены соответствующие измерения для устройства с золотыми электродами истока / стока, которые показаны на рис. 4 ͑ b. Для положительных напряжений OFET находится в накоплении отверстий, и V K равно V C. Во время первой развертки от V C = + 20 В до V C = -30 В канал истощается от мобильных носителей заряда между V C = 0 В и V C = -23 В.Значительный оставшийся заряд не обнаружен. Это хорошо согласуется с низким гистерезисом соответствующих выходных характеристик, изображенных на рис. 3 ͑ a ͒. V K остается постоянным до тех пор, пока при V C −23 V электроны инжектируются в канал из-за возникающих сильных электрических полей. После установления V C = -30 В потенциал V C снова увеличивается. Можно заметить, что V K следует за V C до -15 В. Затем наблюдается небольшое отклонение полной компенсации между -12,5 В V C -8 В из-за истощения мобильных отрицательных зарядов в канале.Во время истощения в канале обнаруживается захваченный заряд -0,18 Кл / см 2. Этот режим обеднения, однако, относительно невелик по сравнению с режимом, наблюдаемым для электродов из Са на рис. 4 ͑ a. Это можно объяснить более низким энергетическим барьером для инжекции дырок из Au по сравнению с инжекцией дырок из Ca. Для второй развертки накопления дырок, начиная с VC = 20 В ͓ см. Рис. 4 ͑ b, никаких различий не наблюдается, пока VC Ͼ 0 В. Однако ниже VC = 0 В может наблюдаться отклонение от первого измерения. .При понижении до -4 В V K продолжает следовать за V C, указывая на то, что канал не истощается при небольших отрицательных напряжениях. Это можно понять по наличию подвижных дырок в канале, компенсирующих остаточные глубоко захваченные отрицательные заряды от первой развертки. Действительно, при дальнейшем уменьшении V C постоянная V K находится при больших отрицательных значениях, соответствующих плотности поверхностного заряда td = 5 · 10 -8 Кл / см 2. Следует отметить, что дополнительные циклы V C увеличивают накопленный заряд.То, что накопленный отрицательный заряд не рекомбинирует с дырками в предыдущем режиме накопления дырок, указывает либо на очень маленькое поперечное сечение ловушки, либо на пространственное расстояние между захваченными электронами и накопленными дырками. Такая удаленная ловушка для заряда может быть вызвана ловушками на границе SiO 2 / ПММА в случае, если электроны могут просачиваться через слой ПММА. Учитывая, что OFET p-типа в выключенном состоянии обычно смещены для накопления электронов, работа в выключенном состоянии может спровоцировать наблюдаемый захват электронов.Сдвиг потенциала, вызванный захваченными электронами, затем приводит к увеличению накопления дырок и проводимости канала, что известно как источник сдвигов порогового напряжения. Из представленных выше экспериментов SKPM можно сделать вывод, что исследуемая граница раздела ПММА / пентацен предпочтительно улавливает электроны. В то время как часть наблюдаемых захваченных электронов высвобождается в течение постоянной времени менее минуты, другая часть задерживается, по крайней мере, на сутки. Даже после накопления дырок в канале не наблюдается значительного разрушения глубоких ловушек на SiO 2 / PMMA.Захваченный отрицательный заряд влияет как на транспорт n-, так и на p-тип, уменьшая плотность подвижных электронов и увеличивая плотность подвижных дырок. Для устройств n-типа это приводит к гистерезису ВАХ, вызванному наличием электронных ловушек. Во время измерения Авторы измерений должны были очистить, как пустые, чтобы поблагодарить ловушки, которые Bundesministerium заполнены накопившимися für Bildung электронами и Forschung, что приводит к «BMBF изменению» финансовой проводимости их каналов.порт через В отличие от Проекта № IV 01BI564. Характеристики устройств p-типа показывают пренебрежимо малый гистерезис, что позволяет предположить, что захват носителей заряда не происходит, несмотря на существующие электронные ловушки. Однако представленный эксперимент SKPM показывает, что инжекция и захват электронов в OFET p-типа возможны. При протекании дырочного тока в канале инжектированные электроны рекомбинируют с дырками, прежде чем они могут быть захвачены. Таким образом, влияния ловушек электронов на ВАХ не ожидается.Однако бывают ситуации, когда в канале не накапливаются дырки, а именно V DS ഛ V GS и V GS ജ 0 В. Это позволяет захватить инжектированные электроны, и, следовательно, может быть вызван сдвиг порогового напряжения, изменяющий впоследствии ток забойной скважины. Следует подчеркнуть, что операция OFET при V GS = 0 В в режиме глубокого насыщения, как показано на рисунке 1, типична для цифровых схем. Кроме того, из литературы 1,5 известно, что многие OFET p-типа обеспечивают высокую плотность захвата электронов, что делает их уязвимыми для наблюдаемого механизма инжекции и захвата.Поэтому возможность инжекции и захвата электронов в OFET p-типа должна быть тщательно изучена и принята во внимание при исследовании таких устройств. Авторы хотели бы поблагодарить Bundesministerium für Bildung und Forschung ͑ BMBF ͒ за финансовую поддержку в рамках проекта № …

Who’s Who | Департамент животноводства и молочного животноводства